一种电驱动量子点单光子源及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种电驱动量子点单光子源及其制备方法，所述制备方法包括步骤：1)提供一基底；2)于所述基底表面沉积正电极，对该正电极刻蚀形成柱状阵列，于该正电极表面沉积第一绝缘膜；3)于所述第一绝缘膜表面沉积空穴注入层；4)提供硫化银量子点，将该量子点分散于分散液中形成量子点分散液，将所述空穴注入层上表面浸入所述量子点分散液中，在该量子点分散液与正电极之间施加电压形成稳恒电场，使量子点材料生长于该空穴注入层表面对应下方所述柱状阵列中的突起位置；5)于所述空穴注入层表面沉积第二绝缘膜，该第二绝缘膜包覆所述量子点形成量子发光层；6)于所述量子点发光层表面沉积电子注入层；7)于所述电子注入层表面形成负电极。负电极。负电极。

【技术实现步骤摘要】
一种电驱动量子点单光子源及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体光电子器件的
，尤其涉及一种电驱动量子点单光子源及其制备方法。

技术介绍

[0002]单光子源是量子通信系统中的核心部件。量子通信的发展趋势要求单光子源具有驱动方式简单、可工作在通信波长、单光子发射效率高、尽量抑制的多光子发射和背景噪声小等特点。目前，常见的单光子源无法同时满足以上要求。
[0003]在制备量子点单光子源时，现有的专利中多采用旋涂的方法来铺设量子点，该方法虽然实施起来较为简单，但在实施中得到的量子点光源位置是混乱的，且量子点光源的大小也不可控制，无法得到分布均匀的量子点光源。
[0004]因此，有必要提供一种技术方案来解决上述量子点光源位置混乱，大小不可控的问题。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种电驱动量子点单光子源，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]一种电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
[0007]1)提供一基底；r/>[0008]2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一基底；2)于所述基底表面沉积正电极，对所述正电极进行刻蚀使所述正电极形成柱状阵列，于所述正电极表面沉积第一绝缘膜；3)于所述第一绝缘膜表面沉积空穴注入层；4)提供硫化银量子点，将所述量子点分散于分散液中形成量子点分散液，将所述空穴注入层上表面浸入所述量子点分散液中，在所述量子点分散液与所述正电极之间施加电压形成稳恒电场，使所述量子点分散液中的量子点材料生长于所述空穴注入层表面对应下方所述正电极中所述柱状阵列中的突起位置；5)于所述空穴注入层表面沉积第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包覆所述量子点，形成量子发光层；6)于所述量子点发光层表面沉积电子注入层；7)于所述电子注入层表面形成负电极。2.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，所述步骤4)的具体过程包括：提供硫化银量子点，将所述量子点分散于分散液中，且通过调节所述量子点或所述分散液的添加量以形成光密度在800nm处为0.1的标定分散液，将所述标定分散液进一步稀释得到量子点分散液。3.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于，所述步骤2)的具体过程包括：通过化学气相沉积法于所述基底表面沉积所述正电极，通过表面刻蚀使所述正电极形成柱状阵列，通过旋涂法于所述正电极表面沉积第一绝缘膜。4.根据权利要求3所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中对所述正电极进行刻蚀形成的各个柱状的所述正电极之间的间距大于等于3μm，各个柱状所述正电极之间底部相连。5.根据权利要求1所述的电驱动量子点单光子源的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮伟民，金尚忠，周亚东，赵天琦，赵春柳，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：