一种显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置技术领域，特别涉及一种显示装置及其制造方法，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层，第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层，在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有第一金属层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与第一金属层的材质相同，第二电极层的材质与第二金属层的材质相同，这样能够进一步提高电容容量。够进一步提高电容容量。够进一步提高电容容量。

【技术实现步骤摘要】
一种显示装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及显示装置
，特别涉及一种显示装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。
[0003]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20
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30倍，可以大大提高TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0004]氧化物半导体迁移率(10
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30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的Ioff，画素TFT只需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层；所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有第一金属层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二金属层上开设有第一过孔，所述源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二钝化层；所述第一电极层的材质与第一金属层的材质相同；所述第二电极层的材质与第二金属层的材质相同。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述有源层与第二金属层之间设有第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层分别与有源层、第二金属层和第二钝化层接触。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层与第二电极层之间还设有第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层分别与第一绝缘层与第二电极层接触。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽的竖直截面形状为方形。6.一种权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；S2、形成第一电极层和第一金属层，所述第一电极层填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，黄志杰，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：