一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及阵列基板技术领域，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，第二电极层、第一蚀刻阻挡层和第三电极层构成一个电容，以形成两个并联的电容，从而进一步增大了电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。缩小面板边框尺寸的优势。缩小面板边框尺寸的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及阵列基板
，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。
[0003]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20
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30倍，可以大大提高TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0004]氧化物半导体迁移率(10
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30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有第一有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二蚀刻阻挡层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二透明导电层，所述第二透明导电层上开设有第二过孔，所述源漏极金属层上开设有第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通，所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层；所述第一电极层的材质与第一有源层的材质相同；所述第二电极层的材质与第一透明导电层的材质相同；所述第三电极层的材质与第二透明导电层的材质相同。2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述凹槽的竖直截面形状为方形。5.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的数量为两个，所述第二过孔和第三过孔均位于两个第一过孔之间。6.一种权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；S2、形成第一电极层和第一有源层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳华琦，陈宇怀，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：