粒子、组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器制造方法及图纸

具有(1)成分和(2)成分的粒子，所述(2)成分覆盖所述(1)成分的表面的至少一部分，所述(2)成分具有带硅氧烷键的有机硅化合物层和带硅氧烷键的无机硅化合物层。(1)成分：发光性半导体粒子；(2)成分：覆盖层。覆盖层。覆盖层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粒子、组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器


[0001]本专利技术涉及粒子、组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器。本申请基于2018年10月26日在日本申请的特愿2018
‑
202356号主张优先权，其内容在此引用。

技术介绍

[0002]近年来，作为发光材料，对具有高量子产率的发光性半导体粒子的关心提高。另一方面，要求发光材料具有稳定性，作为含有钙钛矿化合物的组合物，例如报道了被3
‑
氨基丙基三乙氧基硅烷覆盖的钙钛矿化合物(非专利文献1)。[现有技术文献][非专利文献][0003][非专利文献1]高新材料(Advanced Materials)2016，28，p.10088
‑
10094

技术实现思路

专利技术要解决的问题
[0004]但是，非专利文献1中记载的含有钙钛矿化合物的组合物未必对光的耐久性充分。即，上述的组合物由于接受激发光而劣化，量子产率降低。因此，要求对光的耐久性高的发光材料。
[0005]本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种具有发光性、对光的耐久性高的粒子。本专利技术的另一个目的是提供包含这种粒子的组合物、膜和层叠结构体。另外，本专利技术的目的还在于提供一种包含这样的层叠结构体的发光装置、显示器。
技术实现思路
专利技术要解决的课题
[0006]为了解决上述课题，本专利技术的一个方式是提供一种粒子，其具有(1)成分和(2)成分，所述(2)成分覆盖所述(1)成分的表面的至少一部分，所述(2)成分具有带硅氧烷键的有机硅化合物层和带硅氧烷键的无机硅化合物层。(1)成分：发光性半导体粒子(2)成分：覆盖层
[0007]在本专利技术的一个方式中，也可以构成为：所述带硅氧烷键的有机硅化合物是选自由硅氮烷改性物、下述式(C1)表示的化合物(其中，Y5为单键)的改性物、下述式(A5
‑
51)表示的化合物的改性物以及下述式(A5
‑
52)表示的化合物的改性物组成的组中的1种以上的化合物，所述带硅氧烷键的无机硅化合物是选自由硅氮烷改性物、下述式(C1)表示的化合物的改性物(其中，Y5为单键的情况除外)、下述式(C2)表示的化合物的改性物以及硅酸钠改性物组成的组中的1种以上的化合物。[化学式1](式(C1)中，Y5表示单键、氧原子或硫原子。当Y5为氧原子时，R
30
和R
31
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基、或碳原子数为2～20的不饱和烃基。Y5为单键或硫原子时，R
30
表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数2～20的不饱和烃基，R
31
表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数2～20的不饱和烃基。式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基、或碳原子数为2～20的不饱和烃基。在式(C1)和式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
表示的烷基、环烷基、不饱和烃基中所含的氢原子可以各自独立地被卤素原子或氨基取代。a为1～3的整数。a为2或3时，存在的多个Y5可以相同，也可以不同。a为2或3时，存在的多个R
30
可以相同，也可以不同。a为2或3时，存在的多个R
32
可以相同，也可以不同。a为1或2时，存在的多个R
31
可以相同，也可以不同。)[化学式2][化学式2](式(A5
‑
51)和式(A5
‑
52)中，A
C
为2价烃基，Y
15
为氧原子或硫原子。R
122
和R
123
各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷
基，R
124
表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R
125
和R
126
各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基或碳原子数3～30的环烷基。R
122
～R
126
表示的烷基和环烷基中所含的氢原子可以各自独立地被卤素原子或氨基取代。
[0008]在本专利技术的一个方式中，所述(1)可以为以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物。(A是钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价的阳离子。X表示钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自卤素离子和硫氰酸根离子中的至少一种阴离子。B是钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子。)
[0009]在本专利技术的一个方式中，可以构成为：具有覆盖所述(1)的表面的至少一部分的表面修饰剂层，所述表面修饰剂层以选自铵离子、胺、伯～季铵阳离子、铵盐、羧酸、羧酸根离子、羧酸盐、式(X1)～(X6)分别表示的化合物以及式(X2)～(X4)分别表示的化合物的盐中的至少一种化合物或离子作为形成材料。[化学式3][化学式4][化学式5][化学式6][化学式7][化学式8](式(X1)中，R
18
～R
21
各自独立地表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数6～30的芳基，它们可以具有取代基。M
‑
表示抗衡阴离子。式(X2)中，A1表示单键或氧原子。R
22
表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数6～30的芳基，它们可以具有取代基。式(X3)中，A2和A3各自独立地表示单键或氧原子。R
23
和R
24
各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基、或碳原子数为6～30的芳基，它们可以具有取代基。式(X4)中，A4表示单键或氧原子。R
25
表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数6～30的芳基，它们可以具有取代基。式(X5)中，A5～A7各自独立地表示单键或氧原子。R
26
～R
28
各自独立地表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的链烯基、或碳原子数2～20的炔基，它们可以具有取代基。
式(X6)中，A8～A
10
各自独立地表示单键或氧原子。R
29
～R
31
各自独立地表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的链烯基、或碳原子数2～20的炔基，它们可以具有取代基。R
18
～R
31
分别表示的基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有(1)成分和(2)成分的粒子；所述(2)成分覆盖所述(1)成分的表面的至少一部分，所述(2)成分具有带硅氧烷键的有机硅化合物层和带硅氧烷键的无机硅化合物层；(1)成分：发光性半导体粒子(2)成分：覆盖层。2.根据权利要求1所述的粒子，所述带硅氧烷键的有机硅化合物是选自由硅氮烷改性物、下述式(C1)表示的化合物的改性物、下述式(A5
‑
51)表示的化合物的改性物和下述式(A5
‑
52)表示的化合物的改性物组成的组中的1种以上的化合物，所述式(C1)表示的化合物中Y5为单键；所述带硅氧烷键的无机硅化合物是选自由硅氮烷改性物、下述式(C1)表示的化合物的改性物、下述式(C2)表示的化合物的改性物和硅酸钠改性物组成的组中的1种以上的化合物，所述式(C1)表示的化合物中Y5为单键的情况除外；[化学式1][化学式1]式(C1)中，Y5表示单键、氧原子或硫原子，当Y5为氧原子时，R
30
和R
31
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基，Y5为单键或硫原子时，R
30
表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数2～20的不饱和烃基，R
31
表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数2～20的不饱和烃基；式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基；在式(C1)和式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
表示的烷基、环烷基和不饱和烃基中所含的氢原子各自独立地任选被卤素原子或氨基取代或不被取代，a为1～3的整数，a为2或3时，存在的多个Y5任选相同或不同，a为2或3时，存在的多个R
30
任选相同或不同，a为2或3时，存在的多个R
32
任选相同或不同，a为1或2时，存在的多个R
31
任选相同或不同；[化学式2]
式(A5
‑
51)和式(A5
‑
52)中，A
C
为2价烃基，Y
15
为氧原子或硫原子，R
122
和R
123
各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R
124
表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R
125
和R
126
各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基或碳原子数3～30的环烷基。R
122
～R
126
表示的烷基和环烷基中所含的氢原子各自独立地任选被卤素原子或氨基取代或不被取代。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤翔太，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：