一种阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域，解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明专利技术阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明专利技术可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。和多值存储特性。和多值存储特性。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于阻变存储器
，特别涉及一种阻变存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]阻变式存储器件(Resistive Random Access Memory，缩写为RRAM)是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器件。其具有存储密度高、功耗低、读写速度快、可缩小性好等优点，因此，被广泛地应用于具有各种各样新型智能化功能的电路芯片。
[0003]RRAM中的阻变元件一般采用简单的类似电容的金属
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介质层
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金属(MIM)结构，由两层金属电极包夹着一层介质材料构成。金属电极材料的选择可以是传统的金属单质，或者金属氮化物等，而介质层材料主要包括二元过渡金属氧化物等。但是，传统的阻变存储器多被应用于二值存储器，难以很好的满足未来社会对信息处理能力和信息存储容量的更高要求。

技术实现思路

[0004]鉴于以上分析，本专利技术旨在提供一种阻变存储器及其制备方法，可以实现可控的高低阻态，并可根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极为TaN或TiN，厚度为10
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100nm。3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层为HfO2或HfO2基掺杂材料，阻变层厚度为3
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10nm。4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述插入层的厚度为0.5
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2nm。5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述Ti薄膜的厚度为3
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15nm。6.根据权利要求1
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5所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建峰，项金娟，刘卫兵，杨涛，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：