提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法。首先将SiO2/Si(100)衬底作为衬底，通过磁控溅射装置在室温下镀膜，通过控制时间得到不同厚度的Sb2Se薄膜，通过直流VO2靶在Sb2Se薄膜上溅射，得到有VO2覆盖层的Sb2Se相变薄膜材料。本发明专利技术方法通过VO2靶材在Sb2Se薄膜上覆盖一层VO2薄膜，被VO2薄膜覆盖的Sb2Se薄膜具有更好的热稳定性，更好的数据保持能力和更高的结晶速率，能有效地提升Sb2Se薄膜的相变性能和Sb2Se薄膜的热稳定性和结晶速率，特别是对于较小厚度的Sb2Se薄膜。Se薄膜。Se薄膜。

【技术实现步骤摘要】
提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法


[0001]本专利技术属于微电子
，针对目前非易失性半导体存储技术，提出了一种性能较为优异的候选相变材料，同时提出了一种优化相变材料性能的方法。

技术介绍

[0002]相变存储器(PCM)作为最有潜力的下一代非易失性半导体存储技术之一已经引起了广泛的关注，因为它具有出色的可扩展性，高存储密度以及与CMOS的良好兼容性等突出优点。Ge
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Sb
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Te三元系PCM是研究最广泛的相变材料，但仍有一些问题需要解决。Ge2Sb2Te5(GST)的低结晶温度和不足的数据保留能力限制了其在商业上的广泛。由于纳米晶体管无法提供足够的驱动电流，因此高熔点和大RESET电流阻碍了PCM尺寸的缩小。GST的成核占主导的结晶过程不利于PCM相变速度的提高。因此，探索具有更高的结晶温度，更低的熔点和更快的相变速度的相变材料已成为近年来的研究热点。Sb
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Te和Sb
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Se等二元系材料具有组成简单，熔点低的优点。作为具有吸引力的PCM候选材料，S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法，其特征在于，步骤如下：步骤(1)将VO2靶材安装在直流溅射靶中，将Sb2Se安装在射频溅射靶中；步骤(2)将SiO2/Si(100)衬底作为衬底，放入溅射腔室；步骤(3)将溅射腔室封闭，进行抽真空之后，通入高纯度Ar气，使溅射室内的气压达到溅射所需的启辉气压；步骤(4)开启射频电源，调整Sb2Se射频溅射功率，待光辉稳定后开始在室温下镀膜，通过控制时间得到不同厚度的Sb2Se薄膜；步骤(5)得到Sb2Se薄膜后，通过直流VO2靶在Sb2Se薄膜上溅射，得到有VO2覆盖层的Sb2Se相变薄膜材料。2.根据权利要求1所述的一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法，其特征在于，步骤(1)具体操作如下：分别在Sb2Se圆块靶材和VO2圆块靶材的背面完全贴合一块与靶材直径相同的圆形铜片，铜片厚度约为1mm，制得磁控溅射镀膜靶材；将VO2靶材安装在直流溅射靶中，将Sb2Se安装在射频溅射靶中。3.根据权利要求2所述的一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法，其特征在于，步骤(2)具体操作如下：将SiO2/Si(100)衬底放...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜成钢，王涛，张继勇，孙垚棋，张勇东，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：