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本发明公开了一种提高Sb2Se相变薄膜的热稳定性和结晶速度的方法。首先将SiO2/Si(100)衬底作为衬底，通过磁控溅射装置在室温下镀膜，通过控制时间得到不同厚度的Sb2Se薄膜，通过直流VO2靶在Sb2Se薄膜上溅射，得到有VO2覆盖层...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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