一种ITO颗粒的气氛烧结方法技术

本发明专利技术公开了一种ITO颗粒的气氛烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该气氛烧结方法包括以下步骤：S1、ITO素坯的制备：将In2O3粉末和SnO2粉末混合均匀，得到原料粉末，在所述原料粉末中加入粘合剂，混合均匀后喷雾造粒，然后将其装填到模具中，经模压处理及冷等静压处理后，得到ITO素坯；S2、ITO靶材的制备：将上述ITO素坯进行脱脂和抽真空处理，然后在所述ITO素坯孔隙中充入氧气，以使所述ITO素坯在常压、纯氧气氛条件及1500

【技术实现步骤摘要】
一种ITO颗粒的气氛烧结方法


[0001]本专利技术涉及ITO靶材加工
，更具体地说，它涉及一种ITO颗粒的气氛烧结方法。

技术介绍

[0002]ITO靶材是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材除应用在液晶显示器(LCD)面板外，还可应用在许多电子产品上，如触摸屏、有机发光平面显示器、等离子体显示器、汽车防热除雾玻璃、太阳能电池、光电转换器、透明加热器防静电膜、红外线反射装置等。ITO靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。导电玻璃生产商要求生产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀、不波动的导电玻璃，故ITO靶材应在整个镀膜过程中保持性能不变。
[0003]经成形工艺处理后的ITO素坯只是半成品，素坯需要进行进一步的烧结处理，以得到ITO靶材。ITO素坯的烧结方法主要包括热等静压法、热压法和常压烧结法。常压烧结法又称气氛烧结法，是指以预压方式制造高密度的靶坯，在一定的气氛和温度下烧结的方法。常压烧结法由于对气氛和温度分别进行了严格的控制，避免了晶粒的长大，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO颗粒的气氛烧结方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、ITO素坯(2)的制备将In2O3粉末和SnO2粉末混合均匀，得到原料粉末，在所述原料粉末中加入粘合剂，混合均匀后喷雾造粒，然后将其装填到模具中，经模压处理及冷等静压处理后，得到ITO素坯(2)；S2、ITO靶材的制备将上述ITO素坯(2)进行脱脂和抽真空处理，然后在所述ITO素坯(2)孔隙中充入氧气，以使所述ITO素坯(2)在常压、纯氧气氛条件及1500
‑
1620℃温度下烧结5
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12h，制得ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种ITO颗粒的气氛烧结方法，其特征在于：在步骤S1中，采用模压加冷等静压复合法成形获得素坯，成型压力为50
‑
230MPa。3.根据权利要求1所述的一种ITO颗粒的气氛烧结方法，其特征在于：在步骤S2中，抽真空处理和充氧过程中，真空度为10
‑4‑
10
‑2Pa，充氧压力为10
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100KPa，保压时间为10
‑
60min。4.根据权利要求1所述的一种ITO颗粒的气氛烧结方法，其特征在于：在步骤S2中，所述ITO素坯(2)在烧结炉中烧结，所述烧结炉内设置有用于放置所述ITO素坯(2)的支撑装置。5.根据权利要求4所述的一种ITO颗粒的气氛烧结方法，其特征在于：所述支撑装置包括固定在所述烧结炉内的固定板(1)，所述固定板(1)顶面设置有用于放置所述ITO素坯(2)的放置面(3)，所述放置面(3)为倾斜设置，所述放置面(3)上开设有用于氧气填充的凹槽(4)，所述凹槽(4)设置有多个，多个所述凹槽(4)沿所述放置面(3)倾斜方向等间距布置；所述放置面(3)下端固定有用于限制所述ITO素坯(2)向下滑动的定位块(6)，所述定位块(6)与所述ITO素坯(2)接触，所述固定板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐智勇，
申请(专利权)人：株洲火炬安泰新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：