一种高密度ITO靶材的常压烧结方法技术

本发明专利技术公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：S1、ITO平面素坯的放置：将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯，相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结：在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结，ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明专利技术解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度ITO靶材的常压烧结方法


[0001]本专利技术涉及ITO靶材加工
，更具体地说，它涉及一种高密度ITO靶材的常压烧结方法。

技术介绍

[0002]ITO靶材是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材除应用在液晶显示器(LCD)面板外，还可应用在许多电子产品上，如触摸屏、有机发光平面显示器、等离子体显示器、汽车防热除雾玻璃、太阳能电池、光电转换器、透明加热器防静电膜、红外线反射装置等。ITO靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。导电玻璃生产商要求生产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀、不波动的导电玻璃，故ITO靶材应在整个镀膜过程中保持性能不变。
[0003]经成形工艺处理后的ITO平面素坯只是半成品，素坯需要进行进一步的烧结处理，以得到ITO靶材。ITO平面素坯的烧结方法主要包括热等静压法、热压法和常压烧结法。常压烧结法又称气氛烧结法，是指以预压方式制造高密度的靶坯，在一定的气氛和温度下烧结的方法。常压烧结法由于对气氛和温度分别进行了严格的控制，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、ITO平面素坯(2)的放置将ITO平面素坯(2)置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯(2)，相邻ITO平面素坯(2)通过放置面上的限位柱隔开；S2、ITO靶材的烧结在常压氧气氛条件下，通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯(2)进行烧结，ITO平面素坯(2)采用分段式烧结，分段式烧结过程为：以2
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6℃/min升温至600
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800℃，保温5
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10h，氧气流量8L/min；再以0.5
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3℃/min升温至1300
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1400℃，保温10
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20h，氧气流量13L/min；再以0.5
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2℃/min升温至1500
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1700℃，保温20
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60h，氧气流量18L/min，制得高密度ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：在步骤S2中，ITO平面素坯(2)在烧结炉内烧结之前，先对ITO平面素坯(2)进行脱脂和烧结炉抽真空处理。3.根据权利要求2所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：脱脂处理的处理温度为500
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800℃，脱脂时间为30
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80h。4.根据权利要求1所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：在ITO平面素坯(2)中，In2O3/SnO2的质量比为9∶1。5.根据权利要求1
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4中任一所述的一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，其特征在于：所述支撑装置包括固定在所述烧结炉内的固定板(1)，所述固定板(1)顶面为用于放置所述ITO平面素坯(2)的放置面(3)，所述放置面(3)为倾斜设置，所述放置面(3)上开设有用于氧气填充的凹槽(4)，所述凹槽(4)设置有多个，多个所述凹槽(4)沿所述放置面(3)倾斜方向等间距布置；所述放置面(3)下端固定有用于限...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐智勇，
申请(专利权)人：株洲火炬安泰新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：