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本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：S1、ITO平面素坯的放置：将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上，以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯，相邻ITO平面素坯通...
该专利属于株洲火炬安泰新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲火炬安泰新材料有限公司授权不得商用。

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