半导体结构及其形成方法技术

提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包含基底、缓冲层、阻挡层、介电层、保护层以及源极结构和漏极结构。所述缓冲层设置在基底上。所述阻挡层设置在缓冲层上。所述介电层设置在阻挡层上。所述保护层设置在介电层上。所述源极结构和所述漏极结构设置在保护层上。本发明专利技术所提供的半导体结构及其形成方法可避免在执行加热工艺以形成欧姆接触的期间，源极结构和漏极结构的导电材料扩散到介电层，从而避免源极结构和漏极结构与栅极结构产生短路。路。路。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例有关于一种半导体结构，特别是有关于高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)的半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]高电子移动率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)因具有高崩溃电压、高输出电压等优点，广泛应用于高功率半导体装置当中。
[0003]GaN材料因为具有宽能带间隙及高速移动电子，所以GaN HEMT在射频与功率的应用上被积极的开发。GaN HEMT的导通电阻主要是由二维电子气通道以及源极和漏极与GaN的异质接面来决定。由于源极和漏极与GaN的异质接面的电阻极高。因此，通常会通过加热工艺，使部分的源极和漏极的金属扩散至二维电子气通道，从而形成良好的欧姆接触(ohmic contact)。
[0004]然而，源极和漏极的材料同样也会扩散至氧化层。因为硅在400℃左右对一些材料，例如铝，有相当程度的固态溶解度(Solid Solubility)，所以在温度40本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基底；一缓冲层，设置在所述基底上；一阻挡层，设置在所述缓冲层上；一介电层，设置在所述阻挡层上；一保护层，设置在所述介电层上；以及一源极结构和一漏极结构，设置在所述保护层上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括TiN、SiN或TiN和SiN的组合。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层为一多层结构。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括：一材料层，其中所述材料层包括TiN、SiN或TiN和SiN的组合；以及一钝化层，设置在所述材料层上。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极结构和所述漏极结构直接接触所述缓冲层。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一栅极结构，设置在所述源极结构和所述漏极结构之间。7.一种半导体结构的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：周政伟，林鑫成，林永丰，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：