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提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包含基底、缓冲层、阻挡层、介电层、保护层以及源极结构和漏极结构。所述缓冲层设置在基底上。所述阻挡层设置在缓冲层上。所述介电层设置在阻挡层上。所述保护层设置在介电层上。所述源极结构和所述漏极结构设...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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