本申请实施例提供一种天线装置、芯片和终端，涉及天线技术领域，可以在降低外界对天线干扰的前提下改善天线的端射特性。该天线装置，包括：水平极化端射天线，水平极化端射天线包括：层叠设置的辐射层、第一介质层和导电地板，辐射层至少用于辐射毫米波信号，第一介质层位于辐射层和导电地板之间；在第一介质层中，辐射方向端面和底面之间的夹角为锐角，辐射方向端面位于本层朝向水平极化端射天线的辐射方向的一端，底面为本层靠近导电地板一侧的表面。本申请的技术方案主要应用于无线通信设备中。设备中。设备中。
【技术实现步骤摘要】
天线装置、芯片和终端
[0001]本申请涉及天线
，特别涉及一种天线装置、芯片和终端。
技术介绍
[0002]无线通信需求的日益增长，与天线的设计密切相关，当前的4G无线蜂窝系统及相关的移动天线很难维持无线通信流量持续增长的需求，因此，5G移动通信技术受到广泛关注。5G频谱可以分为Sub-6Ghz和毫米波频带，关于5G的研究表明毫米波技术由于其丰富的频谱资源将会成为未来提高数据传输速率的关键技术。
[0003]由于天线尺寸的限制，在低频段，大规模天线阵列在基站侧使用。随着频率的上升，单个天线的尺寸可缩短至毫米级别，在终端侧布置更多的天线成为可能。为了适应越来越多的功能和日益即集成的组装技术，现在移动天线位于各种传感器和组件中。这些部件的金属化部分与移动天线产生的寄生耦合效应，对天线性能造成不良影响。
技术实现思路
[0004]本申请技术方案提供了一种天线装置、芯片和终端，可以在降低外界对天线干扰的前提下改善天线的端射特性。
[0005]第一方面，本申请技术方案提供了一种天线装置，包括：
[0006]水平极化端射天线，所述水平极化端射天线包括：
[0007]层叠设置的辐射层、第一介质层和导电地板，所述辐射层至少用于辐射毫米波信号，所述第一介质层位于所述辐射层和所述导电地板之间；
[0008]在所述第一介质层中，辐射方向端面和底面之间的夹角为锐角，所述辐射方向端面位于本层朝向所述水平极化端射天线的辐射方向的一端，所述底面为本层靠近所述导电地板一侧的表面。一方面，通过导电地板的屏蔽功能降低外界器件耦合对天线性能造成的不良影响，另一方面，通过设置辐射层和导电地板之间的介质层具有切角，利用电磁波的折射抑制导电地板反射导致的波束上翘，改善了天线的端射特性。
[0009]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，E1＜E2。被导电地板反射的波束在从第二介质层传输至第一介质层时，会由于相对介电常数的差异而抑制波束的上翘。
[0010]在一种可能的设计中，在所述第一介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ1；在所述第二介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ2，0
°
＜θ2＜θ1＜90
°
。可以匹配不同介质层之间的相对介电常数差异，进一步对不同介质层出射的波束方向进行调节，使得波束在从具有不同相对介电常数的介质层出射时，具有趋近于一致的出射方向，进一步改善天线的端射特性。
[0011]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第二介质层和所述导电地板之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第二介质层相邻；所述第三介质层的相对介电常
数为E3，E2≤E3。
[0012]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，E2＜E1。
[0013]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第二介质层和所述辐射层之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第二介质层相邻；所述第三介质层的相对介电常数为E3，E3≤E2。
[0014]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，所述第三介质层的相对介电常数为E3，E3≤E1≤E2，且E3＜E2。
[0015]在一种可能的设计中，天线装置还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层和第三介质层，所述第一介质层和所述第二介质层相邻，所述第二介质层和所述第三介质层相邻，所述第二介质层位于所述第一介质层和所述第三介质层之间；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，所述第三介质层的相对介电常数为E3，E1≤E2≤E3，且E1＜E3；在所述第一介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ1；在所述第三介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ3，0
°
＜θ3＜θ1＜90
°
。
[0016]在一种可能的设计中，所述辐射层包括反射板和偶极子，所述偶极子位于所述反射板朝向所述水平极化端射天线的辐射方向的一端；所述天线装置还包括位于所述辐射层和所述导电地板之间的隔离层，所述隔离层电连接于所述导电地板，所述隔离层在所述导电地板上的正投影和所述反射板在所述导电地板上的正投影交叠。利用隔离层抑制反射板的主动辐射，以改善水平极化端射天线的端射特性。
[0017]在一种可能的设计中，具有不同相对介电常数的两个所述介质层中的一者为第一通孔层，具有不同相对介电常数的两个所述介质层中的另一者为第二通孔层，所述第一通孔层和所述第二通孔层上分别设置有通孔；所述第一通孔层和所述第二通孔层具有不同的通孔结构，所述通孔结构包括以下各项之一：通孔数量、通孔位置以及通孔孔径。
[0018]在一种可能的设计中，所述第一通孔层位于所述辐射层和所述第二通孔层之间；所述第一通孔层和所述第二通孔层上的通孔数量和通孔位置相同；所述第一通孔层的通孔孔径大于所述第二通孔层的通孔孔径。
[0019]在一种可能的设计中，所述第一通孔层位于所述辐射层和所述第二通孔层之间；所述第一通孔层和所述第二通孔层的通孔孔径相同；所述第一通孔层的通孔密度大于所述第二通孔层的通孔密度。
[0020]在一种可能的设计中，所述水平极化端射天线还包括馈电层，所述馈电层位于所述辐射层远离所述导电地板的一侧；
[0021]所述馈电层包括馈电部和巴伦，所述馈电部通过接地金属柱电连接于所述辐射层和所述导电地板。
[0022]在一种可能的设计中，天线装置还包括：垂直极化端射天线，所述垂直极化端射天
线位于所述水平极化端射天线的辐射层和导电地板之间。
[0023]在一种可能的设计中，所述垂直极化端射天线包括腔体侧壁和腔体顶面，所述腔体顶面通过所述腔体侧壁连接于所述导电地板。
[0024]第二方面，本申请技术方案还提供了一种芯片，包括：射频单元和上述的天线装置。
[0025]第三方面，本申请技术方案还提供了一种终端，包括上述的天线装置。
附图说明
[0026]图1为本申请实施例中一种天线装置的一种结构示意图；
[0027]图2为图1中天线装置的一种立体结构示意图；
[0028]图3为图1中天线装置的一种爆炸图；
[0029]图4为本申请实施例中另一种天线装置的一种爆炸图；
[0030]图5为本申请实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种天线装置，其特征在于，包括：水平极化端射天线，所述水平极化端射天线包括：层叠设置的辐射层、第一介质层和导电地板，所述辐射层至少用于辐射毫米波信号，所述第一介质层位于所述辐射层和所述导电地板之间；在所述第一介质层中，辐射方向端面和底面之间的夹角为锐角，所述辐射方向端面位于本层朝向所述水平极化端射天线的辐射方向的一端，所述底面为本层靠近所述导电地板一侧的表面。2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，E1＜E2。3.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，在所述第一介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ1；在所述第二介质层中，所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ2，0
°
＜θ2＜θ1＜90
°
。4.根据权利要求2或3所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第二介质层和所述导电地板之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第二介质层相邻；所述第三介质层的相对介电常数为E3，E2≤E3。5.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，E2＜E1。6.根据权利要求5所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第二介质层和所述辐射层之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第二介质层相邻；所述第三介质层的相对介电常数为E3，E3≤E2。7.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层相邻；位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第三介质层，所述第三介质层和所述第一介质层相邻；所述第一介质层的相对介电常数为E1，所述第二介质层的相对介电常数为E2，所述第三介质层的相对介电常数为E3，E3≤E1≤E2，且E3＜E2。8.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层和第三介质层，所述第一介质层和所述第二介质层相邻，所述第二介质层和所述第三介质层相邻，所述第二介质层位于所述第一介质层和所述第三介质层之间；所述第一介质层的相对介电常...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘英，任爱娣，赵畅，岳震震，陈月年，张玉，叶茂，李堃，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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