一种抑制冲击电流的冗余电路制造技术

技术编号:28699040 阅读:32 留言:0更新日期:2021-06-02 03:35
本实用新型专利技术公开一种抑制冲击电流的冗余电路,其包括集成电路N1、第一MOS管V1和第二MOS管V2,输入电源Ui的正极与集成电路N1的IN端连接,经第一电容C1与集成电路N1的VSS端连接,经第一电阻R1与输入电源Ui的负极连接,输入电源Ui的正极与第一MOS管V1的漏极连接;第一MOS管V1的源极与集成电路N1的SOURCE端连接,第一MOS管V1的源、栅极分别与第二MOS管V2的源、栅极连接,且二者之间接有并联的稳压管V3、第二电容C2,第一MOS管V1、第二MOS管V2的栅极经第二电阻R2与集成电路N1的GATE端连接,第二MOS管V2的漏极与集成电路N1的OUT端、输出电压Uo的正极连接;输入电源Ui的负极接输出电压Uo的负极。本实用新型专利技术适用于各种电源的冗余要求以及容性或感性负载要求。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制冲击电流的冗余电路
本技术涉及直流电源
,尤其是涉及一种抑制冲击电流的冗余电路。
技术介绍
服务器、网络交换机、冗余存储磁盘阵列(RAID)、以及其它形式的通信基础设施等高可用性系统,需要在整个使用生命周期内具有接近零的停机率。为实现高可靠性,系统的供电电源一般采用冗余电源,是由两个完全一样的电源组成,由冗余电路控制电源进行负载均衡,当一个电源出现故障时,另一个电源马上可以接管其工作,在更换电源后,又是两个电源协同工作。但如果系统存在容性负载时,在上电一瞬间是相当于短路的,瞬间电流理论上是无限大,这种冲击电流往往远远高于正常供电的电流值,如果供电源没有保护措施,可能会对供电源造成损害,即使有保护措施,也可能会触发供电源的保护机制从而使供电源无法启动,为了消除容性负载带来的电流冲击,目前普遍采用的技术是抑制冲击电流,但这种解决方式是在冗余电路基础上又增加了一套抑制冲击电流电路,不仅增加了电源体积,又增加了器件种类数量,降低了电源可靠性。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术的目的是提供一种结构简单、制造成本低、可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抑制冲击电流的冗余电路,其特征是:其包括集成电路N1、第一MOS管V1、第二MOS管V2和稳压管V3,输入电源Ui的正极与集成电路N1的IN端连接,通过第一电容C1与集成电路N1的VSS端连接,且经第一电阻R1与输入电源Ui的负极连接,输入电源Ui的正极还与第一MOS管V1的漏极连接;第一MOS管V1的源极与集成电路N1的SOURCE端连接,第一MOS管V1的源极、栅极分别与第二MOS管V2的源极、栅极连接,且二者之间接有并联的稳压管V3、第二电容C2,第一MOS管V1、第二MOS管V2的栅极经第二电阻R2与集成电路N1的GATE端连接,第二MOS管V2的漏极与集成电路N1的OUT端、...

【技术特征摘要】
1.一种抑制冲击电流的冗余电路,其特征是:其包括集成电路N1、第一MOS管V1、第二MOS管V2和稳压管V3,输入电源Ui的正极与集成电路N1的IN端连接,通过第一电容C1与集成电路N1的VSS端连接,且经第一电阻R1与输入电源Ui的负极连接,输入电源Ui的正极还与第一MOS管V1的漏极连接;第一MOS管V1的源极与集成电路N1的SOURCE端连接,第一MOS管V1的源极、栅极分别与第二MOS管V2的源极、栅极连接,且二者之间接有并联的稳压管V3、第二电容C2,第一MOS管V1、第二MOS管V2的栅极经第二电阻R2与集成电路N1的GATE端连接,第二MOS管V2的漏极与集成电路N1的OUT端、输出电压U...

【专利技术属性】
技术研发人员:钱忠源
申请(专利权)人:洛阳隆盛科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:河南;41

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