使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。本公开的一个目的是提供一种用于减小在制造包括半导体发光器件的显示装置中的工艺误差的制造方法和结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
本公开涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。
技术介绍
近年来，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和微型LED显示器在显示
中一直在争相实现大面积显示器。然而，在LCD的情况下存在诸如响应时间慢、由背光产生的光的效率低的问题，在OLED的情况下存在诸如使用寿命短、产量(yeild，成品率)减小以及效率低的缺点。相反，当在显示器中使用直径或横截面区域为100微米或更小的半导体发光器件(微型LED(μLED))时，因为显示器使用了偏振板等而不吸收光，所以显示器可以提供非常高的效率。然而，由于大尺寸显示器需要数百万个半导体发光器件，所以与其他技术相比，在转移这些器件方面有困难。当前正在开发的用于转移工艺(process)的技术包括拾取和放置(pick&place)、激光剥离(LLO，laserlift-off)、自组装等。在这些技术之中，自组装方法是用来实现大尺寸显示装置的最有利方法，所述自组装方法是半导体发光器件自身定位在流体中的方法。近年来，第9,825,202号美国专利提出了一种适合于自组装的微型LED结构，但是还没有针对通过微型LED的自组装来制造显示器的技术的研究。因此，本公开提出了一种新型的可以自组装微型LED的显示装置及其制造方法。
技术实现思路
技术问题本公开的一个目的是提供一种用于减小在制造包括半导体发光器件的显示装置中的工艺误差的制造方法和结构。本公开的另一目的是提供一种用于减少在制造包括半导体发光器件的显示装置中所需的工艺数量的制造方法和结构。技术方案本公开可以提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底；半导体发光器件，具有设置在基底上且环状地(annularly)形成在半导体发光器件的上边缘上的第一导电电极、以及形成在半导体发光器件的上中心部分上且被第一导电电极围绕的第二导电电极；钝化层，形成为覆盖半导体发光器件的上表面的一部分；第一布线电极(wiringelectrode)，电连接到第一导电电极；以及第二布线电极，从半导体发光器件的上边缘延伸到半导体发光器件的上中心部分，并且电连接到第二导电电极，其中，第二布线电极的一部分与第一导电电极的一部分重叠(overlap)而钝化层置于二者之间。根据一实施例，钝化层可以从半导体发光器件的侧表面沿半导体发光器件的宽度方向延伸，并且可以形成为覆盖第一导电电极的部分和第二导电电极的部分。根据一实施例，钝化层可以形成为覆盖半导体发光器件的上表面的除了第一导电电极和第二导电电极的连接到第一布线电极和第二布线电极的部分之外的其余部分。根据一实施例，半导体发光器件可以相对于其宽度方向(widthwise)中心线对称地形成。根据一实施例，第一导电电极和第二导电电极可以相对于半导体发光器件的厚度方向设置有高度差。根据一实施例，半导体发光器件可以包括：第一导电半导体层，设置在第一导电电极下方；第二导电半导体层，设置在第二导电电极下方；以及有源层，形成在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。根据一实施例，有源层可以形成为与设置在半导体发光器件的中心部分处的第二导电电极重叠。根据一实施例，有源层可以以环形形状形成为与第一导电电极重叠。另外，本公开可以提供一种显示装置的制造方法，所述方法可以包括：在晶圆上制造多个半导体发光器件，每个所述多个半导体发光器件具有环状地形成在其上边缘上的第一导电电极、以及形成在该半导体发光器件的上中心部分处且被第一导电电极围绕的第二导电电极；形成覆盖半导体发光器件的上表面的钝化层；将基底转移到组装位置，并且将所述多个半导体发光器件放置到流体室中；引导半导体发光器件在流体室中的移动，以将半导体发光器件组装在基底的预设位置处；蚀刻钝化层的与第一导电电极和第二导电电极重叠的部分，以使第一导电电极的部分和第二导电电极的部分暴露；以及将第一布线电极和第二布线电极连接到第一导电电极和第二导电电极。根据一实施例，形成钝化层可以被执行为覆盖半导体发光器件的整个上表面。根据一实施例，蚀刻钝化层可以在将多个半导体发光器件组装在基底的预设位置处之后被执行。根据一实施例，第二布线电极的部分可以被设置为与第一导电电极的一部分重叠而钝化层置于二者之间。有益效果根据本公开，不需要在半导体发光器件的制造中执行使半导体发光器件的导电电极暴露于外部的工艺。结果，减少了工艺的数量，并且减小了工艺误差。此外，由于工艺误差的减小，使得半导体发光器件的尺寸可以被减小。附图说明附图示出了本专利技术的实施例并且与描述一起用于解释本专利技术的原理，这些附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解并且被并入该说明书中并构成该说明书的一部分。在附图中：图1是示出根据本公开的实施例的使用半导体发光器件的显示装置的视图。图2是示出图1中的显示装置的部分“A”的局部放大图。图3是示出图2中的半导体发光器件的放大图。图4是示出图2中的半导体发光器件的另一实施例的放大图。图5A至图5G是用于解释制造前述半导体发光器件的新工艺的视图。图6是示出根据本公开的半导体发光器件的自组装装置的示例的视图。图7是示出图6中的自组装装置的方框图。图8A至图8G是示出使用图6中的自组装装置的自组装半导体发光器件的工艺的视图。图9A至图9C是示出在使用图6中的自组装装置将半导体发光器件自组装在布线基底上之后制造显示装置的工艺的视图。图10A是示出在转移半导体发光器件之前的布线基底的平面图。图10B是示出在转移半导体发光器件之后的布线基底的平面图。图11A至图16是示出根据本公开的显示装置的各种修改(modified)实施例的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本文公开的实施例，相同或相似的元件用相同的附图标记表示而与附图中的标号无关，并且将省略它们的多余描述。在以下描述中公开的用于构成元件的后缀“模块”和“单元”仅旨在使说明书容易描述，并且后缀本身不给出任何特殊含义或功能。在描述本公开时，如果对相关的已知功能或构造的详细解释被认为不必要地转移了本公开的主旨，则这种解释已经被省略，但是将被本领域技术人员所理解。另外，应当注意，附图仅是为了容易地解释本专利技术的构思而示出的，因此，它们不应被解释为本文所公开的技术构思由附图限制。此外，将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以在它们之间插入中间元件。本文公开的显示装置可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、触屏平板PC(slatePC)、平板PC、超级本、数字电视(TV)、数字标牌、头戴式显示器(HMD)、台式计算机等。然而，本领域技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n基底；/n半导体发光器件，具有设置在所述基底上且环状地形成在所述半导体发光器件的上边缘上的第一导电电极、以及形成在所述半导体发光器件的上中心部分上且被所述第一导电电极围绕的第二导电电极；/n钝化层，形成为覆盖所述半导体发光器件的上表面的一部分；/n第一布线电极，电连接到所述第一导电电极；以及/n第二布线电极，从所述半导体发光器件的所述上边缘延伸到所述半导体发光器件的所述上中心部分，并且电连接到所述第二导电电极，/n其中，所述第二布线电极的一部分与所述第一导电电极的一部分重叠且所述钝化层置于两者之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181025 KR 10-2018-01284701.一种显示装置，包括：
基底；
半导体发光器件，具有设置在所述基底上且环状地形成在所述半导体发光器件的上边缘上的第一导电电极、以及形成在所述半导体发光器件的上中心部分上且被所述第一导电电极围绕的第二导电电极；
钝化层，形成为覆盖所述半导体发光器件的上表面的一部分；
第一布线电极，电连接到所述第一导电电极；以及
第二布线电极，从所述半导体发光器件的所述上边缘延伸到所述半导体发光器件的所述上中心部分，并且电连接到所述第二导电电极，
其中，所述第二布线电极的一部分与所述第一导电电极的一部分重叠且所述钝化层置于两者之间。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述钝化层从所述半导体发光器件的侧表面沿所述半导体发光器件的宽度方向延伸，并且形成为覆盖所述第一导电电极的一部分和所述第二导电电极的一部分。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述钝化层形成为覆盖所述半导体发光器件的所述上表面的除了连接到所述第一布线电极的所述第一导电电极的其余部分和连接到所述第二布线电极的所述第二导电电极的其余部分之外的其余部分。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件相对于所述半导体发光器件的宽度方向中心线对称地形成。


5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极相对于所述半导体发光器件的厚度方向设置有高度差。


6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一导电电极的高度大于所述第二导电电极的高度。


7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二导电电极的高度大于所述第一导电电极的高度。


8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件还包括：
第一导电半导体层，设置在所述第一导电电极下方；
第二导电半导体层，设置在所述第二导电电极下方；以及
有源层，形成在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间。


9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述有源层形成为与设置在所述半导体发光器件的上中心部分处的所述第二导电电极重叠。


10....

【专利技术属性】
技术研发人员：金政勋，赵炳权，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR