阻挡膜制造技术

本申请涉及阻挡膜。在本申请中，可以提供具有优异的阻挡特性和光学特性的阻挡膜。由本申请生产的阻挡膜可以用于对水分等敏感的电子产品。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻挡膜
相关申请的交叉引用本申请要求基于于2018年10月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0128816号、于2018年10月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0128798号、于2018年10月26日提交的韩国专利申请第10-2018-0128791号和于2019年1月9日提交的韩国专利申请第10-2019-0002820号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本申请涉及阻挡膜。特别地，本申请涉及对外来物质例如氧或水分具有优异的阻挡特性的阻挡膜。
技术介绍
用于阻挡外部组分例如氧和水分的阻挡膜不仅用于作为常规主要应用的食品或药物等的包装材料，而且还用于FPD(平板显示器)例如LCD(液晶显示器)或太阳能电池用构件、电子纸或OLED(有机发光二极管)用基底、或密封膜等。特别地，根据元件薄化的趋势，相对于薄的厚度，用于电气或电子元件的阻挡膜需要具有优异的阻挡特性。用于生产阻挡膜的方法可以包括例如湿法。具体地，阻挡膜可以通过将涂覆在基础膜上的聚硅氮烷转化为二氧化硅的方法来生产。此时，聚硅氮烷可以在经历诸如在预定条件下加热或水解的过程的同时转化为二氧化硅。例如，日本专利特许公开第H10-194873号公开了将全氢聚硅氮烷或其改性产物施加至基础膜并将其在真空下烧制的方法。
技术实现思路
技术问题本申请的一个目的是提供对外来物质例如氧或水分具有优异的阻挡特性的阻挡膜。本申请的另一个目的是提供在具有薄的厚度的同时具有优异的阻挡特性的阻挡膜。本申请的另一个目的是提供包括所述阻挡膜的包装材料、设备或装置。本申请的以上目的和其他目的都可以通过以下详细描述的本申请来解决。技术方案在本申请的一个实例中，本申请涉及阻挡膜。在本申请中，阻挡膜意指满足预期的透光率和阻挡特性的膜。关于透光率，阻挡膜可以意指对380nm至780nm的波长范围内的可见光，具体地，波长为550nm的光的透射率为90％或更大、或者95％或更大的膜。透射率的上限为例如约100％，其中膜的透射率可以小于100％。关于阻挡特性，阻挡膜可以具有良好的水蒸气透过率。在一个实例中，如在38℃的温度和100％的相对湿度下测量的，阻挡膜可以满足0.5×10-3g/m2·天或更小的水蒸气透过率。更具体地，如在以上条件下测量的，阻挡膜的水蒸气透过率可以为0.45×10-3g/m2·天或更小、0.40×10-3g/m2·天或更小、0.35×10-3g/m2·天或更小、0.30×10-3g/m2·天或更小、0.25×10-3g/m2·天或更小、0.20×10-3g/m2·天或更小、0.15×10-3g/m2·天或更小、0.10×10-3g/m2·天或更小、或者0.05×10-3g/m2·天或更小。水蒸气透过率越低，阻挡特性越好，因此水蒸气透过率的下限没有特别限制。在一个实例中，水蒸气透过率的下限可以为0.001×10-3g/m2·天或更大、0.005×10-3g/m2·天或更大、或者0.01×10-3g/m2·天或更大。作为用于测量水蒸气透过率的代表性标准，已知ASTMF1249或ISO15506-3等，其中本申请的水蒸气透过率可以根据前述中的适当方式来测量。通常，已知阻挡膜的水分阻挡特性随着阻挡水分的功能层的厚度而增加。然而，厚度的增加不符合近来薄化的趋势，这可能导致膜的透明度降低。在这方面，尽管厚度薄，但是本申请的阻挡膜可以具有优异的水蒸气透过率。具体地，本申请中的无机层的厚度可以为600nm或更小。更具体地，无机层的厚度可以为550nm或更小、500nm或更小、450nm或更小、400nm或更小、350nm或更小、300nm或更小、250nm或更小、200nm或更小、或者150nm或更小。因此，如以下详细描述的无机层即使在薄的厚度下也可以提供具有足够的阻挡特性的膜。无机层的厚度的下限没有特别限制，但可以为例如50nm或更大。在一个实例中，无机层的厚度为300nm或更小，其中如在38℃的温度和100％的相对湿度的条件下测量的，阻挡膜可以满足0.1×10-3g/m2·天或更小的水蒸气透过率。在上述范围的厚度内，满足透光率和阻挡特性的本申请的阻挡膜包括基础层和无机层。此外，无机层由如下所述的组合物形成，从而包含Si、N和O。基础层可以包括例如能够提供透光率的玻璃或聚合物膜。在一个实例中，基础层可以包括能够提供足够的柔性的聚合物膜。例如，作为基础层，可以使用聚酯膜，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚碳酸酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜或聚芳酯膜；聚醚膜，例如聚醚砜膜；环烯烃聚合物膜；聚烯烃膜，例如聚乙烯膜或聚丙烯膜；纤维素树脂膜，例如二乙酰纤维素膜、三乙酰纤维素膜或乙酰纤维素丁酸酯膜；聚酰亚胺膜；丙烯酰基膜；和环氧树脂膜；等等。在本申请中，基础层可以具有单层结构或多层结构。基础层的厚度没有特别限制。例如，基础层的厚度可以为约1μm或更大、5μm或更大、10μm或更大、20μm或更大、30μm或更大、40μm或更大、或者50μm或更大。当满足所述厚度时，可以在基础层上稳定地形成无机层。基础层厚度的上限没有特别限制，但可以为例如500μm或更小、400μm或更小、300μm或更小、200μm或更小、或者100μm或更小。无机层可以通过对施加在用于涂覆的被粘物(例如，基础层)上的聚硅氮烷组合物，即，聚硅氮烷层进行等离子体改性来形成。在本申请中，聚硅氮烷组合物意指包含聚硅氮烷作为主要组分的组合物。例如，基于重量，聚硅氮烷组合物中的聚硅氮烷的比率可以为55％或更大、60％或更大、65％或更大、70％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大、或者90％或更大。重量比可以为例如100％或更小、99％或更小、98％或更小、97％或更小、96％或更小、或者95％或更小。在本申请中，聚硅氮烷可以意指其中硅元素(Si)和氮元素(N)重复以形成基础骨架的聚合物。该聚硅氮烷可以通过预定的处理(例如，等离子体处理)来改性以形成具有阻挡特性的硅氧化物或硅氮氧化物。因此，无机层可以包含Si、N和O。在一个实例中，本申请中使用的聚硅氮烷可以包含由下式1表示的单元。[式1]在式1中，R1、R2和R3可以各自独立地为氢元素、烷基、烯基、炔基、芳基、烷基甲硅烷基、烷基氨基或烷氧基。在本申请中，除非另有说明，否则术语“烷基”可以意指具有1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的烷基。烷基可以为线性、支化或环状的。此外，烷基可以任选地经一个或更多个取代基取代。在本申请中，除非另有说明，否则术语“烯基”可以意指具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的烯基。烯基可以为线性、支化或环状的，并且可以任选地经一个或更多个取代基取代。在本申请中，除非另有说明，否则术语“炔基”可以意指具有2至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻挡膜，包括：基础层；以及包含Si、N和O的无机层，/n其中所述无机层的厚度为600nm或更小，以及所述膜的根据在38℃的温度和100％的相对湿度的条件下测量的水蒸气透过率为0.5×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181026 KR 10-2018-0128816;20181026 KR 10-2018-011.一种阻挡膜，包括：基础层；以及包含Si、N和O的无机层，
其中所述无机层的厚度为600nm或更小，以及所述膜的根据在38℃的温度和100％的相对湿度的条件下测量的水蒸气透过率为0.5×10-3g/m2·天或更小。


2.根据权利要求1所述的阻挡膜，其中所述无机层的厚度为300nm或更小，以及在38℃的温度和100％的相对湿度的条件下测量的所述水蒸气透过率为0.1×10-3g/m2·天或更小。


3.根据权利要求2所述的阻挡膜，其中所述无机层对于用于以0.09nm/秒的速率蚀刻Ta2O5的Ar离子蚀刻条件具有0.17nm/秒或更小的在厚度方向上的蚀刻速率。


4.根据权利要求3所述的阻挡膜，其中所述无机层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域具有彼此不同的通过XPS测量的Si、N和O的元素含量(原子％)，以及
所述第一区域比所述第二区域更靠近所述基础层。


5.根据权利要求4所述的阻挡膜，其中所述第一区域满足O含量>Si含量>N含量。


6.根据权利要求5所述的阻挡膜，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎晟真，黄樯渊，丁喜俊，朴宝拉，梁熙旺，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR