一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式制造技术

技术编号:28661645 阅读:28 留言:0更新日期:2021-06-02 02:34
本发明专利技术公开了一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式,包括以下步骤,a、干细胞培养吸管,消毒处理,经高频振荡清洗;b、干细胞培养吸管稳态放置,去水平条件下的立体最大径,订制银靶,将干细胞培养吸管置入银靶;c、通过电磁溅射,对目标物银靶轰击,在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝,清理真空室,把基底材料(干细胞培养吸管)放置于内靶,封闭真空室,开始对真空室抽真空,真空度为10

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式
本专利技术涉及生物医药、生物医学、纳米技术、化学梯度沉降
,特别涉及一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式。
技术介绍
纳米(nm)是物理学界在继微米之后,最小的计量单位,随着纳米技术的开发。大量的纳米材料被发现具有反物理现象。以及特殊功能质效,纳米银,也是在金属纳米材料被广泛开发后。形成的一个新兴研究领域。银在纳米状态下,生物医学利用的杀菌能力产生了质的飞跃。极少的纳米银可产生过去无法想象的强大的杀菌作用,纳米银可在数分钟内杀死650多种细菌,同时具有广谱杀菌,无任何的组织耐药性,研究还表明,纳米银能够促进细胞的生长及受损细胞的修复、伤口的愈合,无任何表面皮肤接触毒性反应,这使广泛应用纳米银技术赋予了,极大地生物医学利用的前景,是目前先进的天然抗菌剂。现有技术中的干细胞培养吸管为普通高分子材料,其在发挥干细胞被培养的过程中,不能有效的保护不被被外界微生物侵蚀,尤其是细菌的侵蚀性的生长。且普通的高分子干细胞培养吸管不能改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式,其特征在于:包括以下步骤,/na、干细胞培养吸管,消毒处理,经高频振荡清洗;/nb、干细胞培养吸管稳态放置,去水平条件下的立体最大径,订制银靶,将基底材料(干细胞培养吸管)置入银靶;/nc、通过电磁溅射,对目标物银靶轰击,在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝,清理真空室,把基底材料(干细胞培养吸管)放置于内靶,封闭真空室,开始对真空室抽真空,真空度为10

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式,其特征在于:包括以下步骤,
a、干细胞培养吸管,消毒处理,经高频振荡清洗;
b、干细胞培养吸管稳态放置,去水平条件下的立体最大径,订制银靶,将基底材料(干细胞培养吸管)置入银靶;
c、通过电磁溅射,对目标物银靶轰击,在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝,清理真空室,把基底材料(干细胞培养吸管)放置于内靶,封闭真空室,开始对真空室抽真空,真空度为10-6;
d、向真空室中输入惰性气体填充;
e、控制电压220V,电流值在4A,并使内靶经磁控溅射在基底材料(干细胞培养吸管)表面形成银纳米膜,用银靶对基体轰材轰击,自然冷却,再次打开银靶轰击基底材料(干细胞培养吸管),使固体表面的Ag原子离开银靶并沉积在我们需要的材料(干细胞培养吸管)基底表面,直至形成Ag纳米膜,反转放置干细胞培养吸管,重复上述过程;
f、取离心容器放置于搅拌机内,打开搅拌机,20转/min,缓慢导入极性惰性分散液,进行化学稳定和溶解,形成第一溶液;
g、向步骤f的第一溶液导入纳米银胶浆,搅拌均匀,形成第二溶液备用;
h、将步骤e中的干细胞培养吸管放置于离心容器内,打开离心机进行旋涂;
i、取出干细胞培养吸管,抽真空干燥1-4h,在0-5℃条件下保存,制备细胞备用。


2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式,其特征在于:所述银靶对基体轰材轰击时间15-25min,关闭银靶自然冷却15-30min,再打开银靶轰击基底材料(干细胞培养吸管)1-10min。


3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘哲
申请(专利权)人:西安美丽起点生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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