【技术实现步骤摘要】
图像传感器和操作成像装置的方法本申请要求于2019年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0144199号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。
本公开的示例实施例涉及图像传感器、包括该图像传感器的成像装置及其操作方法。
技术介绍
通常,图像传感器将光学图像转换成电信号。近来,随着计算机工业和通信工业的发展,在各个领域中对改善的图像传感器的需求正在增加。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。这些之中,CMOS图像传感器可以容易地驱动,并且信号处理电路可以集成在单个芯片上,从而使产品小型化。CMOS图像传感器还具有非常低的功耗,因此可以用于具有有限电池容量的产品中。另外,CMOS图像传感器可以与CMOS工艺技术互换使用,降低制造成本。因此,随着技术发展实现高分辨率,CMOS图像传感器的使用正在迅速增加。
技术实现思路
一个或多个示例实施例提供了根据操作模式来控制转换增益的图像传感器、包括该图像传感器的成像装置及其操作 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:/n第一像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;/n第二像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;/n第三像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;以及/n第四像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,/n其中,所述第一像素的第二浮置扩散区和所述第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接,并且/n其中,所述第二像素的第三浮置扩散区和所述第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。/n
【技术特征摘要】
20191112 KR 10-2019-01441991.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
第一像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;
第二像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;
第三像素,包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区;以及
第四像素,包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,
其中,所述第一像素的第二浮置扩散区和所述第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接,并且
其中,所述第二像素的第三浮置扩散区和所述第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个还包括至少一个光电二极管。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个包括:
传输晶体管,被配置为:基于传输栅极信号将所述至少一个光电二极管与第一浮置扩散节点连接,所述第一浮置扩散节点与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第一浮置扩散区对应;以及
第一转换增益晶体管,被配置为:基于第一转换增益信号将所述第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点连接,所述第二浮置扩散节点与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第二浮置扩散区对应。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一像素和所述第四像素中的每个包括复位晶体管,所述复位晶体管被配置为:基于复位栅极信号向所述第一像素和所述第四像素中的每个的第二浮置扩散节点提供像素驱动电压。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第二像素和所述第三像素中的每个包括第二转换增益晶体管,所述第二转换增益晶体管被配置为:基于第二转换增益信号将所述第二像素和所述第三像素中的每个的第二浮置扩散节点与对应于所述第二像素和所述第三像素中的每个的第三浮置扩散区的第三浮置扩散节点连接。
6.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第三像素的第二浮置扩散区和所述第四像素的第二浮置扩散区通过金属线连接。
7.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个包括:
源极跟随器晶体管,包括栅极和漏极,所述栅极连接到与所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素中的每个的第一浮置扩散区对应的第一浮置扩散节点,所述漏极接收像素驱动电压;以及
选择晶体管,包括接收选择信号的栅极、连接到所述源极跟随器晶体管的源极的漏极和连接到输出线的源极。
8.根据权利要求1至权利要求5中任意一项所述的图像传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素彼此对称,
其中,所述第二像素和所述第三像素彼此对称,并且
其中,所述第三像素和所述第四像素彼此对称。
9.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
第一像素;
第二像素;
第三像素;以及
第四像素,
其中,所述第一像素至所述第四像素中的每个包括:
第一晶体管,被配置为基于传输栅极信号将至少一个光电二极管与第一浮置扩散节点连接;
第二晶体管,被配置为基于第一转换增益信号将所述第一浮置扩散节点与第二浮置扩散节点连接;
第三晶体管,包括连接到所...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹浈斌,金焕雄,沈殷燮,李景镐,李泓锡,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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