半导体结构的制造方法及两种半导体结构技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法和两种半导体结构，制造方法包括：提供基底以及硅层，且所述基底暴露出所述硅层顶面；沉积处理，在所述硅层上形成合金层，所述沉积处理在含氮氛围下进行，且所述含氮氛围中的氮原子浓度随沉积处理时间的增加而增加；对所述合金层以及所述硅层进行退火处理。本发明专利技术实施例中，氮原子浓度增加能够控制合金层的硅化反应，从而避免线宽效应，并降低半导体结构的电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及两种半导体结构
本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法及两种半导体结构。
技术介绍
随着集成电路规模的不断发展，半导体结构的特征尺寸不断缩小。根据尺寸等比例缩小的原则，栅极、源极和漏极等结构的接触面积相应变小。接触电阻随着接触面积的变小不断增大，从而使得半导体结构的串联电阻增大，并产生工作速度减慢和放大特性衰退等问题。因此，通常采用金属硅化物以形成欧姆接触，从而降低接触电阻。但目前部分金属硅化物还存在线宽效应或者高电阻等问题。线宽效应是指金属硅化物的电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。当线宽变得过窄时，金属硅化物相变的温度和时间将大大增加；而过高的退火温度会加剧硅原子的扩散，从而造成漏电甚至短路的问题。因此随着半导体结构的不断变小，会出现金属硅化物相变不充分而使接触电阻增加的现象。线宽效应或者高电阻都会降低半导体结构的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法及两种半导体结构，以解决金属硅化物的线宽效应和高电阻的问题，进而提高半导体结构的性能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底以及硅层，且所述基底暴露出所述硅层顶面；/n沉积处理，在所述硅层上形成合金层，所述沉积处理在含氮氛围下进行，且所述含氮氛围中的氮原子浓度随沉积处理时间的增加而增加；/n对所述合金层以及所述硅层进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底以及硅层，且所述基底暴露出所述硅层顶面；
沉积处理，在所述硅层上形成合金层，所述沉积处理在含氮氛围下进行，且所述含氮氛围中的氮原子浓度随沉积处理时间的增加而增加；
对所述合金层以及所述硅层进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，所述氮原子浓度增加的方式包括：阶梯式递增或线性递增。


3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积处理具有变化的沉积速率，且所述沉积速率随着所述沉积处理时间的增加而降低。


4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积速率具有三段式变化区间，且各所述变化区间的所述沉积速率呈线性递减函数关系。


5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，各所述变化区间的所述沉积速率的线性递减函数的斜率不同。


6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积处理包括两阶段式沉积处理，所述两阶段式沉积处理包括第一沉积处理和第二沉积处理，所述第一沉积处理具有第一初始氮原子浓度，所述第二沉积处理具有第二初始氮原子浓度，所述第二初始氮原子浓度大于所述第一初始氮原子浓度。


7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述合金层之前，还包括步骤：基于第一气体的等离子体和第二气体的等离子体对所述硅层进行表面处理，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李渊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34