熔断器制造技术

本发明专利技术公开了一种熔断器，包括绝缘壳体及熔丝主体，绝缘壳体内设有多个分隔开的容置腔，熔丝主体包括熔断部及位于熔断部两端的导电电极，熔断部包括多个首尾相接的熔体，每一熔体各对应设于每一容置腔中，导电电极伸出绝缘壳体外。本发明专利技术的熔断器的安全性能更高。

【技术实现步骤摘要】
熔断器
本专利技术涉及电气保护元件领域，尤其涉及一种熔断器。
技术介绍
熔断器，通常被用作电路保护器件，并与电路中要保护的组件形成电连接。现有常用的熔断器包括绝缘壳体及配置在绝缘壳体腔体内的熔体，当发生过流情况时，熔体熔化而切断电路，以避免要保护的组件或电路受到损害。熔体在熔化的过程中可能形成电弧，如果电弧不被熄灭，电弧可能通过允许不需要的电流流到电路部件而进一步损坏要被保护的电路，因此希望能尽快熄灭电弧。然而，上述的绝缘壳体的腔体是单一连通的，熔体熔化时所产生的电弧容易相互融合，从而造成更大的燃烧，释放更大的能量，导致现有的熔断器的安全性不高。因此，亟需要一种避免电弧融合的熔断器来克服上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种避免电弧融合的熔断器。为实现上述目的，本专利技术的熔断器，包括绝缘壳体及熔丝主体，所述绝缘壳体内设有多个分隔开的容置腔，所述熔丝主体包括熔断部及位于熔断部两端的导电电极，所述熔断部包括多个首尾相接的熔体，每一所述熔体各对应设于每一所述容置腔中，所述导电电极伸出所述绝缘壳体外。较佳地，本专利技术的所述熔断部呈弯折结构布置。较佳地，本专利技术的所述绝缘壳体包括绝缘上壳及绝缘下壳，所述绝缘上壳沿其长度方向开设有多个相邻布置的上容置槽，所述绝缘下壳沿其长度方向开设有多个相邻布置的下容置槽，所述上容置槽与所述下容置槽相对连通而形成所述容置腔。较佳地，本专利技术的所述绝缘上壳、所述绝缘下壳及所述熔丝主体借由一铆钉铆接在一起。较佳地，本专利技术的所述绝缘壳体内设有两正对布置的所述熔丝主体，两所述熔丝主体同一端的导电电极相互贴合布置。较佳地，本专利技术的两所述熔丝主体中一者的熔体设于所述上容置槽中，两所述熔丝主体中另一者的熔体设于所述下容置槽中。较佳地，本专利技术的所述熔体位于所述熔丝主体的一侧，两相邻所述熔体之间具有一安装部，所述安装部呈一弯折结构，两相邻所述上容置槽借由一上隔断部分隔开，两相邻所述下容置槽借由一下隔断部分隔开，两所述熔丝主体中一者的所述安装部卡装于所述上隔断部上，两所述熔丝主体中另一者的所述安装部卡装于所述下隔断部上。较佳地，本专利技术的所述熔体的中部开设有通孔。较佳地，本专利技术的所述熔丝主体为片状件，所述导电电极的横截面积大于所述熔体的横截面积。较佳地，本专利技术的所述导电电极上开设有接线孔。与现有技术相比，本专利技术的熔断器包括绝缘壳体及熔丝主体，绝缘壳体内设有多个分隔开的容置腔，熔丝主体包括熔断部及位于熔断部两端的导电电极，熔断部包括多个首尾相接的熔体，每一熔体各对应设于每一容置腔中，导电电极伸出绝缘壳体外。如此，在绝缘壳体内设置多个独立的容置腔，每一个熔体设在一个独立的容置腔内。让熔断器在系统短路产生电弧的时候，每个电弧都独立在各自的容置腔中燃烧，有利于灭弧，避免电弧融合在一起产生更大的能量，从而大大提高使用安全性。具体地，熔断部呈弯折结构布置，以使所产生的电弧尽可能不共面，避免电弧的融合。附图说明图1是本专利技术熔断器的立体结构示意图。图2沿图1中A-A线段剖切后的立体结构剖视图。图3是本专利技术熔断器的立体分解结构示意图。图4是本专利技术的熔丝主体的立体结构示意图。图5是图4所示的熔丝主体的主视图。图6是本专利技术的绝缘下壳的立体结构示意图。图7是本专利技术的绝缘上壳的立体结构示意图。具体实施方式为了详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。如图1至图3所示，本专利技术的熔断器100包括绝缘壳体10及熔丝主体20，绝缘壳体10内设有多个分隔开的容置腔11，熔丝主体20包括熔断部21及位于熔断部21两端的导电电极22，熔断部21包括多个首尾相接的熔体211，每一熔体211各对应设于每一容置腔11中，导电电极22伸出绝缘壳体10外。如此，在绝缘壳体10内设置多个独立的容置腔11，每一个熔体211设在一个独立的容置腔11内。让熔断器100在系统短路产生电弧的时候，每个电弧都独立在各自的容置腔11中燃烧，有利于灭弧，避免电弧融合在一起产生更大的能量，从而大大提高使用安全性。具体地，熔断部21呈弯折结构布置，以使所产生的电弧尽可能不共面，避免电弧的融合。如图1、图2、图3、图6和图7所示，绝缘壳体10包括绝缘上壳12及绝缘下壳13，绝缘上壳12沿其长度方向开设有多个相邻布置的上容置槽121，绝缘下壳13沿其长度方向开设有多个相邻布置的下容置槽131，上容置槽121与下容置槽131相对连通而形成容置腔11。绝缘壳体10的结构简单，方便装入与熔丝主体20之间的安装。具体地，绝缘上壳12、绝缘下壳13及熔丝主体20借由一铆钉40铆接在一起，以使熔断器100的结构更稳定牢固。如图1、图2、图3、图6和图7所示，绝缘壳体10内设有两正对布置的熔丝主体20，两熔丝主体20同一端的导电电极22相互贴合布置。如此，能够降低熔断器100的使用电阻，提高电流的通过性。具体地，两熔丝主体20中一者的熔体211设于上容置槽121中，两熔丝主体20中另一者的熔体211设于下容置槽131中，这样的布置使得两熔丝主体20的熔体211相距更远，减少电弧融合的几率。更具体地，熔体211位于熔丝主体20的一侧，两相邻熔体21之间具有一安装部212，安装部212呈一弯折结构，两相邻上容置槽121借由一上隔断部122分隔开，两相邻下容置槽131借由一下隔断部132分隔开，两熔丝主体20中一者的安装部212卡装于上隔断部122上，两熔丝主体20中另一者的安装部212卡装于下隔断部132上。设置的安装部212便于将两熔丝主体20各稳定地安装到绝缘上壳12和绝缘下壳13上。如图1至图5所示，熔体211的中部开设有通孔2111，如此布置使得熔体211的中部的横截面积更加小，在发生短路事故时熔体211更易熔断，快速形成断路。举例而言，通孔2111呈方形通孔布置，但不限于此。熔丝主体20为片状件，导电电极22的横截面积大于熔体211的横截面积。如此，熔体211的电阻相对更大，在短路事故时让熔体211能更快地熔断，而导电电极22的电阻相对较小，以使熔断器100与保护的组件更好地电性相接。为便于熔断器100与要保护的组件的电性相接，导电电极22上开设有接线孔221。与现有技术相比，本专利技术的熔断器100包括绝缘壳体10及熔丝主体20，绝缘壳体10内设有多个分隔开的容置腔11，熔丝主体20包括熔断部21及位于熔断部21两端的导电电极22，熔断部21包括多个首尾相接的熔体211，每一熔体211各对应设于每一容置腔11中，导电电极22伸出绝缘壳体10外。如此，在绝缘壳体10内设置多个独立的容置腔11，每一个熔体211设在一个独立的容置腔11内。让熔断器100在系统短路产生电弧的时候，每个电弧都独立在各自的容置腔11中燃烧，有利于灭弧，避免电弧融合在一起产生更大的能量，从而大大提高使用安全性。具体地，熔断部21呈弯折结构布置，以使所产生的电弧尽可能不共面，避免电弧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种熔断器，包括绝缘壳体及熔丝主体，其特征在于，所述绝缘壳体内设有多个分隔开的容置腔，所述熔丝主体包括熔断部及位于熔断部两端的导电电极，所述熔断部包括多个首尾相接的熔体，每一所述熔体各对应设于每一所述容置腔中，所述导电电极伸出所述绝缘壳体外。/n

【技术特征摘要】
1.一种熔断器，包括绝缘壳体及熔丝主体，其特征在于，所述绝缘壳体内设有多个分隔开的容置腔，所述熔丝主体包括熔断部及位于熔断部两端的导电电极，所述熔断部包括多个首尾相接的熔体，每一所述熔体各对应设于每一所述容置腔中，所述导电电极伸出所述绝缘壳体外。


2.根据权利要求1所述的熔断器，其特征在于，所述熔断部呈弯折结构布置。


3.根据权利要求2所述的熔断器，其特征在于，所述绝缘壳体包括绝缘上壳及绝缘下壳，所述绝缘上壳沿其长度方向开设有多个相邻布置的上容置槽，所述绝缘下壳沿其长度方向开设有多个相邻布置的下容置槽，所述上容置槽与所述下容置槽相对连通而形成所述容置腔。


4.根据权利要求3所述的熔断器，其特征在于，所述绝缘上壳、所述绝缘下壳及所述熔丝主体借由一铆钉铆接在一起。


5.根据权利要求3所述的熔断器，其特征在于，所述绝缘壳体内设有两正对布置的所述熔丝主体，两所述熔丝主体同...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹小青，赵志成，严心亮，
申请(专利权)人：东莞市博钺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44