一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法及应用。针对现有技术中柔性导电薄膜方阻均一性差，粗糙度大的缺陷。本发明专利技术目的在于提供一种制备工艺简单并且方阻均一，粗糙度低的导电薄膜材料。基于该目的，本发明专利技术提供了一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，将所述金属前体溶液施加于硅基底表面获得咖啡环状导电网格，在所述导电网格上涂覆柔性液态柔性衬底，待液态柔性衬底固化成膜，将导电薄膜与硅基底剥离得到所述导电薄膜。经本发明专利技术验证，该导电薄膜方阻均一，均方根粗糙度低，可适用于各种电子设备。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法及应用
本专利技术属于柔性导电薄膜
，具体涉及一种基于硅基底(包括Si与SiO2基底)制备咖啡环导电薄膜的方法、所述制备方法制备得到的导电薄膜及应用。
技术介绍
公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。随着时代的发展，人们生活需求的不断提升。柔性透明导电薄膜在市场中所占的比重也是越来越大，应用也越来越广泛，包括柔性触摸屏、曲面屏、运动手环、柔性太阳能电池、柔性OLED等各种电子设备。在柔性智能电子器件领域呈现出非常大的应用前景。目前市场上大多数柔性透明导电薄膜还是以传统的锡掺杂的氧化铟锡ITO/PET材料为主。这主要源于其优异的光电性能，较为均一的方阻，相对较低的粗糙度，但由于铟资源的短缺，再加上ITO本身是一种脆性材料，大大限制了ITO透明导电薄膜在柔性电子领域的长期发展。在诸如，银纳米线(AgNWs)，碳纳米管，石墨烯，金属网格等替代材料中，AgNWs凭借其优越的光电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将所述金属前体溶液施加于硅基底表面获得咖啡环状导电网格，在所述导电网格上涂覆柔性液态柔性衬底，待液态柔性衬底固化成膜，将导电薄膜与硅基底剥离得到所述导电薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将所述金属前体溶液施加于硅基底表面获得咖啡环状导电网格，在所述导电网格上涂覆柔性液态柔性衬底，待液态柔性衬底固化成膜，将导电薄膜与硅基底剥离得到所述导电薄膜。


2.如权利要求1所述基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，其特征在于，所述金属前体溶液包括但不限于纳米银、纳米金和/或纳米铜；
优选的，所述金属前体为纳米银，进一步的，为纳米银的水溶液、有机溶液或水与有机溶液的混合液；更进一步的，所述纳米银的有机溶液为纳米银的IPA、乙醇或甲醇溶液；
优选的，所述纳米银的浓度为0.001-10mg/ml；或，所述纳米银的直径为10-100nm；或纳米银的长度为10-500um。


3.如权利要求1所述基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，其特征在于，所述硅基底为Si或SiO2基底；
优选的，所述Si基底为裸硅片厚度为100～1000um；所述SiO2衬底为具有SiO2层的硅片，所述SiO2衬底，厚度为100～1000um，SiO2层厚度为50～1000nm。


4.如权利要求1所述基于硅基底制备咖啡环导电薄膜的方法，其特征在于，所述施加方式包括但不限于涂抹、滴加或喷涂的方式；
优选的，所述施加方式为喷涂；
进一步的，所述喷涂方式为采用喷枪将所述金属前体溶液喷涂于硅基底表面；
具体的，所述喷涂的具体参数如下：所述喷枪的喷嘴的直径为0.1-10mm，喷嘴到聚合物薄膜的距离为1-100cm，载运气体为惰...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱凯，孙博文，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37