【技术实现步骤摘要】
测试设备和测试方法
本公开实施例涉及一种测试系统和测试方法。
技术介绍
随着大数据和人工智能应用的不断普及,面向存算一体的存储器成为产业界和学术界竞相研究的目标,力求向着高性能,低成本,低能耗和高速的方向发展。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种测试设备,该测试设备包括:检测接口装置,配置为容纳待测试半导体器件且包括多个检测接口,多个检测接口分别用于与待测试半导体器件的多个端子连接;信号提供装置,配置为通过检测接口装置的多个检测接口中至少一个向待测试半导体器件提供具有可调的物理特征的至少一个脉冲信号;信号采集装置,配置为采集至少一个脉冲信号;状态获取装置,配置为在检测接口装置中两个检测接口之间获取待测试半导体器件的实时状态,待测试半导体器件的实时状态取决于至少一个脉冲信号的物理特征;预处理装置,配置为用于通过检测接口装置中至少两个检测接口对待测试半导体器件执行至少一个预处理操作;以及控制器,配置为响应于至少一个脉冲信号的物理特征和实时状态,调整至少一个脉冲信号的物理特征,并且将调整后的至少一个脉冲信 ...
【技术保护点】
1.一种测试设备,包括:/n检测接口装置,配置为容纳待测试半导体器件且包括多个检测接口,其中,所述多个检测接口分别用于与所述待测试半导体器件的多个端子连接;/n信号提供装置,配置为通过所述检测接口装置的多个检测接口中至少一个向待测试半导体器件提供具有可调的物理特征的至少一个脉冲信号;/n信号采集装置,配置为采集所述至少一个脉冲信号;/n状态获取装置,配置为在所述检测接口装置中两个检测接口之间获取所述待测试半导体器件的实时状态,其中,所述待测试半导体器件的实时状态取决于所述至少一个脉冲信号的物理特征;/n预处理装置,配置为用于通过所述检测接口装置中至少两个检测接口对所述待测试 ...
【技术特征摘要】
1.一种测试设备,包括:
检测接口装置,配置为容纳待测试半导体器件且包括多个检测接口,其中,所述多个检测接口分别用于与所述待测试半导体器件的多个端子连接;
信号提供装置,配置为通过所述检测接口装置的多个检测接口中至少一个向待测试半导体器件提供具有可调的物理特征的至少一个脉冲信号;
信号采集装置,配置为采集所述至少一个脉冲信号;
状态获取装置,配置为在所述检测接口装置中两个检测接口之间获取所述待测试半导体器件的实时状态,其中,所述待测试半导体器件的实时状态取决于所述至少一个脉冲信号的物理特征;
预处理装置,配置为用于通过所述检测接口装置中至少两个检测接口对所述待测试半导体器件执行至少一个预处理操作;以及
控制器,配置为响应于所述至少一个脉冲信号的物理特征和实时状态,调整所述至少一个脉冲信号的物理特征,并且将调整后的至少一个脉冲信号提供给所述待测试半导体器件重新获取所述实时状态,以获得所述至少一个脉冲信号的物理特征与所述待测试半导体器件的所述实时状态二者的关系。
2.根据权利要求1所述的测试设备,还包括:
至少一个线路,
开关装置,配置为用于控制所述至少一个线路的连接或断开,其中,所述至少一个线路包括以下线路中的一个或多个:
在所述信号提供装置与所述信号采集装置之间连接的第一线路,
在所述信号提供装置与所述检测接口装置之间连接的第二线路,
在所述信号提供装置、所述检测接口装置与所述信号采集装置之间连接的第三线路,
在所述信号提供装置、所述检测接口装置与所述状态获取装置之间连接的第四线路,以及
在所述预处理装置与所述检测接口装置之间连接的第五线路。
3.根据权利要求2所述的测试设备,其中,所述开关装置还包括第一开关和第二开关,所述多个检测接口包括第一检测接口和第二检测接口,其中,
在所述第一线路中,所述信号提供装置经由所述第一开关连接到所述信号采集装置
在所述第三线路中,所述信号提供装置经由所述第一开关连接到所述检测接口装置的第一检测接口,并且所述检测接口装置的第二检测接口经由所述第二开关连接到所述信号采集装置;
在所述第四线路中,所述信号提供装置经由所述第一开关连接到所述检测接口装置的第一检测接口,并且所述检测接口装置的第二检测接口经由所述第二开关连接到所述状态获取装置;以及
在所述第五线路中,所述预处理装置经由所述第一开关连接到所述检测接口装置的第一检测接口,并且所述检测接口装置的第二检测接口经由所述第二开关连接到所述预处理装置。
4.根据权利要求3所述的测试设备,其中,所述多个检测接口还包括第三检测接口,所述第二线路配置为所述信号提供装置与所述检测接口装置的第三检测接口连接。
5.根据权利要求3所述的测试设备,其中,所述检测接口装置配置为可容纳待测试的两端半导体器件,其中
所述待测试半导体器件的第一端子用于与所述检测接口装置的第一检测接口连接,并且
所述待测试半导体器件的第二端子用于与所述检测接口装置的第二检测接口连接。
6.根据权利要求4所述的测试设备,其中,所述检测接口装置还配置为可容纳待测试的三端半导体器件,
所述三端半导体器件包括漏极端、源极端和栅极端,其中
所述第一检测接口、所述第二检测接口、所述第三检测接口分别用于与所述漏极端、源极端和栅极端对应连接。
7.一种测试方法,包括以下步骤:
提供待测试半导体器件;
使用预处理装置对所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴华强,赵美然,高滨,唐建石,钱鹤,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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