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声表面波应变传感器及其制备方法技术

技术编号:28617216 阅读:47 留言:0更新日期:2021-05-28 16:12
本发明专利技术公开一种声表面波应变传感器及其制备方法,其中声表面波应变传感器包括基底,基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅,第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽。本发明专利技术的传感器结构能提高声表面波应变的检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
声表面波应变传感器及其制备方法
本专利技术涉及声表面波器件
,尤其涉及一种声表面波应变传感器及其制备方法。
技术介绍
航空航天飞行器的发动机通常工作在高温、高旋、高冲击等恶劣的环境中,耐高温、高压和高冲击的应变传感器对发动机内部各构件的健康状态的监测及寿命分析具有十分重要的意义。声表面波应变传感器是通过基底的压电效应进行电-声能量转换和信号传递的。通过采用具有较高熔点(1470℃)的硅酸镓镧晶体作为基底,并利用硅酸镓镧晶体从室温到熔点无相变的特点,使得制成的声表面波应变传感器更适合高温下的传感监控而广泛应用于航空航天飞行器的发动机中。另外硅酸镓镧晶体的机电耦合系数比石英大2-3倍,声表面波速更低,适合器件的小型化。传统的声表面波应变传感器通常采用与待测构件通过粘合剂直接粘接的方法获得待测构件的应变信息,由于粘合剂位于声表面波应变传感器和待测构件之间,在应变传递的过程中,不可避免地会产生迟滞效应,从而降低声表面波应变传感器的灵敏度。
技术实现思路
本专利技术提供一种声表面波应变传感器及其制备方法,用以克服本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面波应变传感器,其特征在于,包括基底,所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅,所述第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种声表面波应变传感器,其特征在于,包括基底,所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面上的有源区内形成有叉指换能器以及分别位于所述叉指换能器两侧的第一反射栅和第二反射栅,所述第二表面对应所述有源区的位置形成有至少一个凹槽。


2.根据权利要求1所述的声表面波应变传感器,其特征在于,所述至少一个凹槽为一个矩形贯通窗口。


3.根据权利要求2所述的声表面波应变传感器,其特征在于,所述矩形贯通窗口的长为10mm,宽为6mm,高为0.25mm。


4.根据权利要求1所述的声表面波应变传感器,其特征在于,所述至少一个凹槽为多个矩形贯通窗口。


5.根据权利要求1~4任一项所述的声表面波应变传感器,其特征在于,所述叉指换能器、所述第一反射栅和所述第二反射栅的电极长度为2000μm,电极宽度为4μm,电极高度为170nm。


6.一种声表面波应变传感器的制备方法,其特征在于,包括:
步骤一、在基底的未抛光一侧对应...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭秋林杨子锋闫夏雯张磊熊继军
申请(专利权)人:中北大学
类型:发明
国别省市:山西;14

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