一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置制造方法及图纸

技术编号:28610559 阅读:28 留言:0更新日期:2021-05-28 16:04
本公开的实施例提供了一种磁控溅射卷绕镀膜设备的镀膜室。所述镀膜室包括镀膜辊,用于支撑被供给的基材,以进行镀膜处理;输入导辊,其设置在所述镀膜辊的上游侧,基材经所述输入导辊供给至所述镀膜辊;输出导辊,其设置在所述镀膜辊的下游侧,镀膜处理后的基材经所述输出导辊输出;和,腔室,其用于容纳所述镀膜辊、输入导辊和输出导辊,并在其侧壁安装多个朝向所述镀膜辊的阴极,所述输入导辊和输出导辊均设置在所述镀膜辊的下侧。以此方式,可以改善阴极间的隔离效果并防止废渣污染靶材表面;改善磁控溅射卷绕镀膜设备使用维护的便捷性,缩短了维护操作时间,进而提省了生产效率;缩小了腔室容积,节省抽气和布气的时间和能源成本。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置
本公开的实施例一般涉及镀膜设备
,并且更具体地,涉及一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置。
技术介绍
真空卷绕镀膜技术发展至今,技术比较成熟且应用领域很多,尤其在传统的包装镀膜行业中应用最广,主要技术原理有溅射镀膜、蒸发镀膜及离子镀膜等。其中溅射镀膜中的磁控溅射镀膜以其膜基结合牢度好、效率高、无污染等优点被广泛应用。磁控溅射为了在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率,通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射效率。磁控溅射的原理是:将基材和靶材安装于真空室内,在处于低压状态气体的辉光放电中形成正、负离子及电子。正离子轰击作为阴极的靶材,使靶材原子被溅射出来,在基材上形成薄膜,从而实现基材的各种功能化。如附图图1所示,现有的磁控溅射卷绕镀膜设备包括镀膜室10和隔离室12,镀膜室10横截面结构均为矩形结构,镀膜辊16在镀膜室10的腔室中间靠上的位置,阴极围绕镀膜辊轴线均布在水平中线以下区域,阴极之间有阴极隔离挡板18。基材从腔室侧壁的顶端入口14进入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射卷绕镀膜设备的镀膜室,其特征在于,包括/n镀膜辊,用于支撑被供给的基材,以进行镀膜处理;/n输入导辊,其设置在所述镀膜辊的上游侧,基材经所述输入导辊供给至所述镀膜辊;/n输出导辊,其设置在所述镀膜辊的下游侧,镀膜处理后的基材经所述输出导辊输出;和/n腔室,其用于容纳所述镀膜辊、输入导辊和输出导辊,并在其侧壁安装多个朝向所述镀膜辊的阴极;/n所述输入导辊和输出导辊均设置在所述镀膜辊的下侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射卷绕镀膜设备的镀膜室,其特征在于,包括
镀膜辊,用于支撑被供给的基材,以进行镀膜处理;
输入导辊,其设置在所述镀膜辊的上游侧,基材经所述输入导辊供给至所述镀膜辊;
输出导辊,其设置在所述镀膜辊的下游侧,镀膜处理后的基材经所述输出导辊输出;和
腔室,其用于容纳所述镀膜辊、输入导辊和输出导辊,并在其侧壁安装多个朝向所述镀膜辊的阴极;
所述输入导辊和输出导辊均设置在所述镀膜辊的下侧。


2.如权利要求1所述的镀膜室,其特征在于:
所述腔室包括腔室主体和腔室上盖,其中,
所述腔室主体形成为顶部开放的箱体,顶部开口形成有主体法兰;
所述腔室上盖形成为底部开放的罩盖,具有与所述镀膜辊的切面平行设置的多个倾斜壁板,底部开口形成与所述主体法兰配合的上盖法兰。


3.根据权利要求2所述的镀膜室,其特征在于,
在所述腔室主体的侧壁和/或所述腔室上盖的倾斜壁板形成有用于安装所述阴极的安装开口,所述安装开口形成有腔体法兰;
所述阴极具有与所述腔体法兰匹配的阴极法兰。


4.根据权利要求3所述的镀膜室,其特征在于,
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:余荣沾王忠雨袁世成张欣于小杰
申请(专利权)人:广东欣丰科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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