一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置制造方法及图纸

技术编号:28575126 阅读:41 留言:0更新日期:2021-05-25 18:22
本实用新型专利技术提供了一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置,包括:炉源区和样品区;炉源区包括炉源区腔体、蒸发源和炉源区真空泵;蒸发源设置在炉源区腔体内部并固定在炉源区腔体的内壁上;炉源区真空泵连接炉源区腔体;样品区包括样品区腔体、衬底台、样品区真空泵和差分限流通道;衬底台从样品区腔体的上方或者侧面插入样品区腔体内;样品区真空泵设置在样品区腔体内部并固定在样品区腔体的内壁上;差分限流通道设置在炉源区与样品区的连接处;炉源区腔体与样品区腔体之间通过差分限流通道相连。本实用新型专利技术的有益效果:可减少蒸发源附近的真空度随气体的增多而降低而导致镀膜质量下降。

【技术实现步骤摘要】
一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置
本技术涉及蒸镀装置领域,特别涉及一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置。
技术介绍
真空蒸镀是指在真空条件下,利用加热蒸发物料,使物料粒子在基底上沉积成膜的技术。其中分子束外延法是在超高真空条件下,将物料元素的分子束流直接喷到衬底表面,从而在其上形成外延层,能生长极薄的单晶薄膜,且能精准控制膜厚。真空度是超高真空镀膜系统的重要指标,真空不仅可为薄膜生长提供超洁净环境,还可提高分子运动自由程,实现高质量镀膜。因此真空度是镀膜系统的重要指标之一。在传统的蒸镀系统中,在加热膜材料使之汽化产生原子束或分子束时,蒸发源往往会加热到高温,尤其对于大多数金属材料,都要求加热到1000~2000℃。在加热的过程中,蒸发源附近的真空度会随着气体的增多而降低,这是因为气体分子间的散射加强,并且物料分子或原子会加强和残余气体分子的撞击,进而影响镀膜质量。故市场亟需一种可以在真空条件下,可以减少由于蒸发源附近的真空度随气体的增多而降低从而导致镀膜质量下降的装置。
技术实现思路
为了解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置,其特征在于,包括:炉源区(1)和样品区(2);/n所述炉源区(1)包括炉源区腔体(3)、蒸发源(5)和炉源区真空泵(6);所述蒸发源(5)设置在所述炉源区腔体(3)内部并固定在所述炉源区腔体(3)的内壁上;所述炉源区真空泵(6)连接所述炉源区腔体(3);/n所述样品区(2)包括样品区腔体(4)、衬底台(7)和样品区真空泵(8);所述衬底台(7)从所述样品区腔体(4)的上方或者侧面插入所述样品区腔体(4)内;所述样品区真空泵(8)设置在所述样品区腔体(4)内部并固定在所述样品区腔体(4)的内壁上;/n所述炉源区(1)与所述样品区(2)的连接处设置有...

【技术特征摘要】
1.一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置,其特征在于,包括:炉源区(1)和样品区(2);
所述炉源区(1)包括炉源区腔体(3)、蒸发源(5)和炉源区真空泵(6);所述蒸发源(5)设置在所述炉源区腔体(3)内部并固定在所述炉源区腔体(3)的内壁上;所述炉源区真空泵(6)连接所述炉源区腔体(3);
所述样品区(2)包括样品区腔体(4)、衬底台(7)和样品区真空泵(8);所述衬底台(7)从所述样品区腔体(4)的上方或者侧面插入所述样品区腔体(4)内;所述样品区真空泵(8)设置在所述样品区腔体(4)内部并固定在所述样品区腔体(4)的内壁上;
所述炉源区(1)与所述样品区(2)的连接处设置有差分限流通道(9);所述炉源区腔体(3)与所述样品区腔体(4)之间通过所述差分限流通道(9)相连。


2.根据权利要求1所述的一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置,其特征在于:所述炉源区腔体(3)可使用圆柱形、多边形柱的一种。


3.根据权利要求2所述的一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置,其特征在于:所述炉源区腔体(3)包括蒸发源凸起和炉源区真空泵凸起;所述蒸发源(5)设置在所述蒸发源凸起内;所述炉源区真空泵(6)通过所述炉源区真空泵凸起与所述炉源区腔体(3)内部相连。


4.根据权利要求1所述的一种利用差分...

【专利技术属性】
技术研发人员:王天邻谢斌平陈飞
申请(专利权)人:费勉仪器科技上海有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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