有机金属化合物和包括其的有机发光装置制造方法及图纸

技术编号:28607740 阅读:16 留言:0更新日期:2021-05-28 16:00
本发明专利技术涉及有机金属化合物和包括其的有机发光装置。有机金属化合物由式1表示。有机发光装置包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间包括发射层的有机层,其中有机层包括由式1表示的有机金属化合物中的至少一种。设备包括有机发光装置。式1为:M(L

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物和包括其的有机发光装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0156111号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本公开的一个或多个实施方式涉及有机金属化合物、包括其的有机发光装置和包括有机发光装置的设备。
技术介绍
有机发光装置为自发射装置,其产生全色图像,并且还具有宽视角、高对比度、短响应时间,以及在明度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性。有机发光装置的示例可包括位于基板上的第一电极,以及依次位于第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合,以产生激子。这些激子从激发态跃迁至(例如,跃迁和驰豫)基态,从而产生光。
技术实现思路
一个或多个实施方式包括有机金属化合物、包括其的有机发光装置和包括有机发光装置的设备。实施方式的另外方面将部分在随后的描述中陈述,并且将部分从描述中显而易见,或者可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而认识到。本公开的实施方式的方面提供了由式1表示的有机金属化合物。式1M(La)n1(Lb)n2在式1中,M选自1周期过渡金属、2周期过渡金属和3周期过渡金属,La可选自由式2表示的配体,n1可为1或2,Lb可选自单齿配体、二齿配体和三齿配体,n2可为0、1、2或3,并且当n2为2或更大时,两个或更多个Lb可彼此相同或不同,La和Lb可彼此不同,式2其中,在式2中,A1和A2可各自独立地选自C5-C30碳环基和C1-C30杂环基,X1、X2、X3和X4可各自独立地为C或N,Y1和Y2可各自独立地为C或N,T1、T2和T3可各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R4)(B5)-*'、*-Si(R4)(R5)-*'、*-B(R4)-*'、*-N(R4)-*'和*-P(R4)-*',b1至b3各自独立地为1、2或3的整数,R1至R5可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),R1至R3可任选地经单键、-C(Q4)(Q5)-、-Si(Q4)(Q5)-、-O-、-S-、-N(Q4)-、-B(Q4)-、-C(=O)-、-S(=O)2-、-S(=O)(Q4)(Q5)-或-P(=O)(Q4)-连接至相邻基团,以形成未取代的或取代的C5-C30碳环基或者未取代的或取代的C1-C30杂环基,a1和a2可各自独立地为选自0至10的整数,a3可为0、1或2,取代的C5-C30碳环基、取代的C1-C30杂环基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基,各自被选自下述中的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12),C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,各自被选自下述中的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22),以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),其中Q1至Q5、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、被C1-C60烷基取代的C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光装置,包括:/n第一电极;/n面向所述第一电极的第二电极;以及/n在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层;并且/n所述有机发光装置包括至少一种由式1表示的有机金属化合物:/n式1/nM(L

【技术特征摘要】
20191128 KR 10-2019-01561111.一种有机发光装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;以及
在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层;并且
所述有机发光装置包括至少一种由式1表示的有机金属化合物:
式1
M(La)n1(Lb)n2
其中,在式1中,
M选自1周期过渡金属、2周期过渡金属和3周期过渡金属;
La选自由式2表示的配体,
n1为1或2,
Lb选自单齿配体、二齿配体和三齿配体,
n2为0、1、2或3,并且当n2为2或更大时,两个或更多个Lb彼此相同或不同,La和Lb彼此不同,
式2



其中,在式2中,
A1和A2各自独立地选自C5-C30碳环基和C1-C30杂环基,
X1、X2、X3和X4各自独立地为C或N,
Y1和Y2各自独立地为C或N,
T1、T2和T3各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R4)(R5)-*'、*-Si(R4)(R5)-*'、*-B(R4)-*'、*-N(R4)-*'和*-P(R4)-*';
b1至b3各自独立地为1、2或3的整数,
R1至R5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
R1至R3任选地经单键、-C(Q4)(Q5)-、-Si(Q4)(Q5)-、-O-、-S-、-N(Q4)-、-B(Q4)-、-C(=O)-、-S(=O)2-、-S(=O)(Q4)(Q5)-或-P(=O)(Q4)-连接至相邻基团,以形成未取代的或取代的C5-C30碳环基或者未取代的或取代的C1-C30杂环基,
a1和a2各自独立地为选自0至10的整数,
a3为0、1或2,并且
所述取代的C5-C30碳环基、所述取代的C1-C30杂环基、所述取代的C1-C60烷基、所述取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基、所述取代的C1-C60烷氧基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被选自下述中的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12);
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;
各自被选自下述中的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22);以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和
-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q5、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、被C1-C60烷基取代的C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,
*1、*2和*3各自为与式1的中心金属M的结合位点,并且
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。


2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中:
所述第一电极为阳极,
所述第二电极为阴极,并且
所述有机层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区,
所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合,并且
所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。


3.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述发射层包括至少一种所述有机金属化合物。


4.根据权利要求3所述的有机发光装置,其中:
所述发射层进一步包括主体化合物,
所述发射层中包括的所述至少一种有机金属化合物为掺杂剂,并且
所述发射层中包括的所述主体化合物的量大于所述发射层中包括的所述至少一种有机金属化合物的量。


5.根据权利要求4所述的有机发光装置,其中:
所述主体化合物包括第二化合物和第三化合物,
所述至少一种有机金属化合物、所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同,
所述第二化合物和所述第三化合物形成激态络合物,并且
所述至少一种有机金属化合物不与所述第二化合物和所述第三化合物中的至少一种形成激态络合物。


6.根据权利要求4所述的有机发光装置,其中:
所述至少一种有机金属化合物的最低未占分子轨道能级和所述主体化合物的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.1eV至1.0eV,并且
所述至少一种有机金属化合物的最高占据分子轨道能级和所述主体化合物的所述最高占据分子轨道能级之间的差的绝对值为1.25eV或更小。


7.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中:
所述发射层为发射第一颜色光的第一发射层,
所述有机发光装置进一步在所述第一电极和所述第二电极之间包括i)发射第二颜色光的至少一个第二发射层或者ii)发射第二颜色光的至少一个第二发射层和发射第三颜色光的至少一个第三发射层,
所述第一颜色光的最大发射波长、所述第二颜色光的最大发射波长和所述第三颜色光的最大发射波长彼此相同或不同,并且
所述第一颜色光和所述第二颜色光以混合光的形式发射,或者所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光以混合光的形式发射。


8.一种由式1表示的有机金属化合物:
式1
M(La)n1(Lb)n2
其中,在式1中,
M选自1周期过渡金属、2周期过渡金属和3周期过渡金属,
La选自由式2表示的配体,
n1为1或2,
Lb选自单齿配体、二齿配体和三齿配体,
n2为0、1、2或3,并且当n2为2或更大时,两个或更多个Lb彼此相同或不同,
La和Lb彼此不同,
式2



其中,在式2中,
A1和A2各自独立地选自C5-C30碳环基和C1-C30杂环基,
X1、X2、X3和X4各自独立地为C或N,
Y1和Y2各自独立地为C或N,
T1、T2和T3各自独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R4)(R5)-*'、*-Si(R4)(R5)-*'、*-B(R4)-*'、*-N(R4)-*'和*-P(R4)-*';
b1至b3各自独立地为1、2或3的整数,
R1至R5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
R1至R3任选地经单键、-C(Q4)(Q5)-、-Si(Q4)(Q5)-、-O-、-S-、-N(Q4)-、-B(Q4)-、-C(=O)-、-S(=O)2-、-S(=O)(Q4)(Q5)-或-P(=O)(Q4)-连接至相邻基团,以形成未取代的或取代的C5-C30碳环基或者未取代的或取代的C1-C30杂环基,
a1和a2各自独立地为选自0至10的整数,
a3为0、1或2,并且
所述取代的C5-C30碳环基、所述取代的C1-C30杂环基、所述取代的C1-C60烷基、所述取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基、所述取代的C1-C60烷氧基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被选自下述中的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12);
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;
各自被选自下述中的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22);以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q5、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、被C1-C60烷基取代的C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,
*1、*2和*3各自为与式1的中心金属M的结合位点,并且
*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。


9.根据权利要求8所述的有机金属化合物,其中M选自铂、钯、铜、银、金、铱、铑、钴、、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽和铥。


10.根据权利要求8所述的有机金属化合物,其中M选自铱、钴、铑和,并且
n1为1并且n2为1、2或3。


11.根据权利要求8所述的有机金属化合物,其中A1和A2各自独立地选自:
i)第一环,ii)第二环,iii)其中两个或更多个第一环彼此稠合的稠合环状基团,iv)其中两个或更多个第二环彼此稠合的稠合环状基团,或者v)其中至少一个第一环与至少一个第二环稠合的稠合环状基团,
其中所述第一环选自环戊烷基、环戊烯基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、硼杂环戊二烯基、磷杂环戊二烯基、噻咯基、锗杂环戊二烯基、硒吩基、噁唑基、二氢噁唑基、异噁唑基、二氢异噁唑基、噁二唑基、二氢噁二唑基、异噁二唑基、二氢异噁二唑基、噁三唑基、二氢噁三唑基、异噁三唑基、二氢异噁三唑基、噻唑基、二氢噻唑基、异噻唑基、二氢异噻唑基、噻二唑基、二氢噻二唑基、异噻二唑基、二氢异噻二唑基、噻三唑基、二氢噻三唑基、异噻三唑基、二氢异噻三唑基、吡唑基、二氢吡唑基、咪唑基、二氢咪唑基、三唑基、二氢三唑基...

【专利技术属性】
技术研发人员:安恩秀高秀秉金性范金咍振申秀珍李银永李在晟李炫汀全美那韩定勋
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1