一种适用于单晶小硅块的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。本发明专利技术的单晶小硅块的切割方法，利用有机硅压敏胶带将拼接后的单晶小硅块之间的缝隙同工件板之间隔离开，防止粘棒胶渗入拼接后的单晶小硅块的缝隙中，切割完成后厚片与厚片之间不存在残胶粘连。本发明专利技术的单晶小硅块的切割方法，提高了厚片回收利用率，减少了硅料损失。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单晶小硅块的切割方法
本专利技术涉及单晶小硅块切割领域，尤其涉及一种适用于单晶小硅块的切割方法。
技术介绍
目前单晶小硅块采用并排双拼的方式拼成大硅块，再将大硅块通过粘棒胶将其粘贴在工件板上进行切割，切割时线网采用分线网的方式，因此切割后相邻两个单晶小硅块的缝隙两侧之间会产生两片厚片。由于粘棒胶会存在于硅块缝隙中，导致切割后每两片厚片之间呈粘连状态，厚片上残留胶的部分硅料只能截断后作为废硅料。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术提出一种适用于单晶小硅块的切割方法，能够减少硅料损失。技术方案：本专利技术所采用的技术方案如下：一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。优选的，所述胶带设置在相邻两个单晶小硅块之间的拼接缝区域。优选的，所述胶带为压敏胶带。优选的，所述压敏胶带为有机硅压敏胶带。优选的，所述有机硅压敏胶带的材质选自PI、PP、PET、PVDF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。


2.根据权利要求1所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述胶带设置在相邻两个单晶小硅块之间的拼接缝区域。


3.根据权利要求1或2所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述胶带为压敏胶带。


4.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述压敏胶带为有机硅压敏胶带。


5.根据权利要求4所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述有机硅压敏胶带的材质选自PI、PP、PET、PVDF和PE中的一种。


6.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述有机硅压敏胶带的宽度为2~10mm，厚度为0.03~0.1mm。


7.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：采用分线网切割方式对所述单晶大硅块进行切割，得到硅片以及位于拼接缝两侧的厚片。


8.根据权利要求6所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：在切割完成之后，还包括对硅片和厚片进行脱胶清洗，撕掉所述厚片表面残留的胶带，回收厚片。


9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王康，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32