【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粒子测定装置、校正方法以及测定装置
本专利技术涉及粒子测定装置、校正方法以及测定装置。
技术介绍
作为测量分散介质中的粒子的粒径的方法,有PTA(ParticleTrackingAnalysis)法,该方法是向粒子照射激光,使用光学系统观察被激光照射的粒子的散射光的聚光点(光点),利用斯托克斯-爱因斯坦公式,根据各个粒子的布朗运动计算出粒径。PTA法中,对使用摄像机等以时间间隔Δt拍摄的一系列图像计算光点的重心,通过将相邻的帧的光点进行对应,取得粒子布朗运动的轨迹,并按照关系式(ΔMS=4DΔt),从上述2维的均方位移ΔMS,得到粒子的扩散系数D。接着,按照斯托克斯-爱因斯坦公式(D=(kB·T)/(3πηd);kB:玻尔兹曼常数,η:分散介质的粘度,π:圆周率,T:绝对温度),根据得到的扩散系数D计算粒径d。某些粒径测定方法是在有关流场内的粒子的PTA法中,通过从光点的游动中减掉流场的流速成分,修正光点的游动,可以不受流场影响地测定粒径(例如参照专利文献1)。与此相关,提出有测量上述修正中使用的流速 ...
【技术保护点】
1.一种粒子测定装置,测定分散介质内的目标粒子的粒径,其特征在于包括:/n图像分析部,取得以规定时间间隔得到的多个拍摄图像,(a)在校正模式下,根据所述多个拍摄图像中的校正用粒子的光点的像素单位的位移,确定所述校正用粒子的光点的均方位移,(b)在测定模式下,根据所述多个拍摄图像中的所述目标粒子的光点的像素单位的位移,确定所述目标粒子的光点的均方位移;以及/n粒径分析部,(c)在分析模式下,基于所述校正用粒子的光点的均方位移以及所述校正用粒子的粒径,根据所述目标粒子的光点的均方位移导出所述目标粒子的粒径。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181004 JP 2018-1889191.一种粒子测定装置,测定分散介质内的目标粒子的粒径,其特征在于包括:
图像分析部,取得以规定时间间隔得到的多个拍摄图像,(a)在校正模式下,根据所述多个拍摄图像中的校正用粒子的光点的像素单位的位移,确定所述校正用粒子的光点的均方位移,(b)在测定模式下,根据所述多个拍摄图像中的所述目标粒子的光点的像素单位的位移,确定所述目标粒子的光点的均方位移;以及
粒径分析部,(c)在分析模式下,基于所述校正用粒子的光点的均方位移以及所述校正用粒子的粒径,根据所述目标粒子的光点的均方位移导出所述目标粒子的粒径。
2.根据权利要求1所述的粒子测定装置,其特征在于,所述图像分析部(a)在所述校正模式下,根据所述分散介质的流速分布来修正所述校正用粒子的光点的位移,确定所述校正用粒子的光点的均方位移,(b)在所述测定模式下,根据所述分散介质的流速分布来修正所述目标粒子的光点的位移,确定所述目标粒子的光点的均方位移。
3.根据权利要求1或2所述的粒子测定装置,其特征在于,所述粒径分析部把导出的所述粒径分类在规定的多个粒径范围的任意一个中,并分别对所述规定的多个粒径范围中的粒子数进行计数。
4.根据权利要求1所述的粒子测定装置,其特征在于,
所述图像分析部取得以规定时间间隔得到的多个拍摄图像,(a)在校正模式下,根据所述多个拍摄图像中的校正用粒子的光点的像素单位的位移,确定所述校正用粒子的光点的均方位移,并计算所述校正用粒子的光点的均方位移与所述校正用粒子的粒径的积,作为装置常数,(b)在测定模式下,根据所述多个拍摄图像中的目标粒子的光点的像素单位的位移,确定所述目标粒子的均方位移,
所述粒径分析部(c)在分析模式下,...
【专利技术属性】
技术研发人员:加藤晴久,松浦有祐,中村文子,近藤郁,田渕拓哉,冨田宽,林秀和,
申请(专利权)人:国立研究开发法人产业技术综合研究所,理音株式会社,铠侠股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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