一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法技术

本发明专利技术公开了发明专利技术涉及一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其采用CMOS集成电路中常用的深槽刻蚀工艺，提高了芯片的灵敏度、采用<110>晶向硅衬底材料，降低了芯片的热阻系数，和压力传感器常规工艺相比提升了器件参数性能、降低了制作成本，同时本芯片工艺和MOS基准工艺兼容，工艺操作简单，降低加工成本，安全可靠，产品工艺易于推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法
本专利技术涉及高精度压力传感器芯片结构
，尤其是涉及一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法。
技术介绍
硅压力传感器作为压力、力、流量、流速及加速度等各种力学量的测量手段被广泛用于国民经济、国防建设的许多重要领域，由于其具有独特的集成优势，所以随着计算机的高速发展和系统集成技术的出现，它的应用范围越来越广。目前制造单晶硅压力传感器最常用的方法是利用双面加工技术，通过背面腐蚀来获得压力敏感膜，这种工艺方法及其结构的不足之处是：需要双面加工，难以精确控制压敏元件与压力腔的对中精度，对中精度不仅受双面光刻机的影响，还受电化学腐蚀的影响，同时长时间的背面腐蚀又会影响正面压敏元件和集成电路的性能。这种工艺方法难以制造小型压力传感器，由于背面腐蚀占了面积，使硅片利用率低，为提高温度特性还需静电熔封，工艺十分复杂；由于工艺复杂成品率低，再加上需双面抛光片或双面抛光外延片，使其成本高。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术的总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(a)选取硅材料，作为衬底；/n(b)硅外延：在所述衬底上形成外延层；/n(c)PE-CVD SiO

【技术特征摘要】
1.一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)选取硅材料，作为衬底；
(b)硅外延：在所述衬底上形成外延层；
(c)PE-CVDSiO2/SiN淀积：在所述外延层上形成钝化层；
(d)引线孔光刻：形成欧姆接触窗口；
(e)介质层刻蚀：采用CF4/NF3/AR在RIE等离子体刻蚀设备中去除氮化硅，采用CF4/CHF3/AR在RIE等离子体刻蚀设备中去除二氧化硅，等离子化学反应刻蚀，去除SiO2/SiN介质层，反应终点控制在硅衬底界面；
(f)金属层淀积：采用AL靶/AR气在等离子体设备中溅射AL膜和外延层形成欧姆接触；
(g)金属光刻：采用光刻胶制作刻蚀掩蔽层，形成键合PAD；
(h)金属腐蚀：采用BCL3/CL2/N2在RIE等离子体刻蚀设备中去除铝膜，等离子化学反应刻蚀，去除金属层，反应终点控制在SiN介质层；
(i)深槽刻蚀光刻：用光刻胶制作刻蚀掩蔽层，形成所需的硅应力计量器深槽图形；
(j)介质层刻蚀：采用CF4/NF3/AR在RIE等离子体刻蚀设备中去除氮化硅，采用CF4/CHF3/AR在RIE等离子体刻蚀设备中去除二氧化硅，等离子化学反应刻蚀，去除SiO2/SiN介质层，反应终点控制在硅衬底界面；
(k)深槽反应离子刻蚀：利用SiO2/SiN介质层作为硬掩蔽层，采用C4F8和SF6在高密度等离子体设备中刻蚀硅，深槽反应离子刻蚀用来形成硅应力计量器的结构；
(l)氢气退火：金属层合金及化学反应损伤退火，形成欧姆接触；
(m)背面减薄，减薄至180±6微米。


2.根据权利要求1所述的高精度压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：何少伟，马敏辉，宋召海，
申请(专利权)人：华芯威半导体科技北京有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11