温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了发明涉及一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其采用CMOS集成电路中常用的深槽刻蚀工艺，提高了芯片的灵敏度、采用<110>晶向硅衬底材料，降低了芯片的热阻系数，和压力传感器常规工艺相比提升了器件参数性能、降低了制作...该专利属于华芯威半导体科技(北京)有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯威半导体科技(北京)有限责任公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了发明涉及一种高精度压力传感器的硅芯片工艺方法，其采用CMOS集成电路中常用的深槽刻蚀工艺，提高了芯片的灵敏度、采用<110>晶向硅衬底材料，降低了芯片的热阻系数，和压力传感器常规工艺相比提升了器件参数性能、降低了制作...