用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺，属于半导体加工用化学试剂及加工工艺技术领域。该组合物主要包括能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物、冷却剂、润湿剂、消泡剂和水，在使用时该保护液膜组合物被旋涂在材料的被加工表面，激光透过液膜照射在材料面并诱导该组合物产生超临界液体，其可有效去除由激光烧蚀产生的碎屑以及堆积在作用区周围的熔融物及火山口高度。

【技术实现步骤摘要】
用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺
本专利技术涉及一种激光保护膜组合物及一种激光切割工艺，尤其涉及一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及使用该组合物的半导体激光切割工艺，属于半导体加工用化学试剂及加工工艺

技术介绍
在半导体晶圆的制造过程中，由于晶粒尺寸随芯片集成化程度的提高而减小，相应地切割道的间隔需要逐渐变窄，针对这类产品的后段封装制程中的切割工艺已由传统的刀轮切割渐渐转向激光切割。而在使用激光的晶圆切割工序中，激光能量被基底吸收掉热能，导致硅熔化或气化所产生的粉尘或熔渣等会冷凝和沉积在芯片表面上，从而很大程度上引起表面污染，损害半导体芯片的质量。为了解决这种问题，已公开的日本专利申请1978-8634(以下称为专利文献1)和1993-211381(以下称为专利文献2)提出了一些方法，其主要是在要被加工的晶片表面上形成具有水溶性树脂的保护膜，并且激光经由该保护膜照射到晶片表面。同样使用该方法的专利还有，如韩国公开专利第10-2006-0052590号，其公开了一种包含水溶性树本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于，主要包括下述按该保护液膜组合物总质量计的下述各组分：能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物5-30wt.％、冷却剂5-50wt.％、润湿剂0.01-2.0wt.％、消泡剂0.01-1.0wt.％和余量水；其中所述能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物为甲苯、聚醚、四氢呋喃、聚乙烯吡络烷酮、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、羟基芘磺酸、聚乙二醇和环己烷中的至少一种；其中所述冷却剂为烷基醇、胺、有机酸、有机酸盐和无机酸盐中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于，主要包括下述按该保护液膜组合物总质量计的下述各组分：能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物5-30wt.％、冷却剂5-50wt.％、润湿剂0.01-2.0wt.％、消泡剂0.01-1.0wt.％和余量水；其中所述能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物为甲苯、聚醚、四氢呋喃、聚乙烯吡络烷酮、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、羟基芘磺酸、聚乙二醇和环己烷中的至少一种；其中所述冷却剂为烷基醇、胺、有机酸、有机酸盐和无机酸盐中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物为聚乙烯吡络烷酮、聚乙二醇和四氢呋喃中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为8000-15000，所述聚乙二醇的重均分子量为200-14000。


4.根据权利要求3所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述聚乙二醇为PEG400和PEG11000中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物，其特征在于：所述冷却剂中的烷基醇为甲醇、乙二醇、丙三醇、丁二醇和戊二醇中的至少一种；所述有机酸盐为有机酸的钠盐、钾盐和铵盐中的至少一种；所述无机酸盐为无机酸的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇，
申请(专利权)人：科纳瑞雅昆山新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32