一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法技术

技术编号:28549466 阅读:37 留言:0更新日期:2021-05-25 17:41
本发明专利技术涉及军工防护技术领域,具体涉及一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法,PVDC高阻隔共挤自粘膜由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成,外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成,次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。本发明专利技术的共挤膜可用于军工防护、防尘,避免灰尘生成静电和弱磁场产生的可能性;其水蒸气透过量达到1g/cm³*24h左右,防潮效果极佳;耐压稳定性较强。

【技术实现步骤摘要】
一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法
本专利技术涉及军工防护
,具体涉及一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法。
技术介绍
在军工防护领域,需要对电子设备、电子器件、数字器件等电子产品进行覆膜保护,常用的做法是在电子保护膜的表面刷上一层PET抗静电剂,在膜的表面形成一层非常薄的导电层,提高表面导电性,使产生的电荷尽快泄漏,减少静电的威胁,用以防止操作、运输和储存时产生静电。因为静电会对电子设备造成损坏或击穿,如:静电被灰烬沾附后线路将被击穿;放电击穿会使电路板中的集成电路和数字器件直接损坏精密器件等。但随着时间的延长,外涂的抗静电剂有可能出现失效的情况,其防静电效果不稳定。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足,本专利技术提供了一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案为:一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成,外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成,外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成,次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成,外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成,次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。


2.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:外层、第一粘合层、阻隔层、第二粘合层、次内层和内层的厚度分别占密封膜总厚度的20%、10%、10%、10%、25%、25%。


3.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:按照质量百分比计,外层中的原料为:线性低密度聚乙烯70-75%、低密度聚乙烯25-30%,改性石墨烯的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯二者总质量的5-10%,外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的1-31%。


4.如权利要求1或3所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:外层中的外加剂由阻燃母料、增塑剂、氮化硼、硅藻土、疏水性二氧化硅中的一种或多种组合而成。


5.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜,其特征在于:按照质量百分比计,次内层中的原料为:线性低密度聚乙烯50-70%、低密度聚乙烯20-25%、茂金属聚乙烯10-25%,外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯和茂金属聚乙烯三者总质量的1-31%。


6.如权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨宜民
申请(专利权)人:洛阳晟鹏新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:河南;41

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