一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及军工防护技术领域，具体涉及一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法，PVDC高阻隔共挤自粘膜由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成，外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成，次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。本发明专利技术的共挤膜可用于军工防护、防尘，避免灰尘生成静电和弱磁场产生的可能性；其水蒸气透过量达到1g/cm³*24h左右，防潮效果极佳；耐压稳定性较强。

【技术实现步骤摘要】
一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法
本专利技术涉及军工防护
，具体涉及一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法。
技术介绍
在军工防护领域，需要对电子设备、电子器件、数字器件等电子产品进行覆膜保护，常用的做法是在电子保护膜的表面刷上一层PET抗静电剂，在膜的表面形成一层非常薄的导电层，提高表面导电性，使产生的电荷尽快泄漏，减少静电的威胁，用以防止操作、运输和储存时产生静电。因为静电会对电子设备造成损坏或击穿，如：静电被灰烬沾附后线路将被击穿；放电击穿会使电路板中的集成电路和数字器件直接损坏精密器件等。但随着时间的延长，外涂的抗静电剂有可能出现失效的情况，其防静电效果不稳定。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本专利技术提供了一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜及其制备方法。本专利技术为实现上述目的所采用的技术方案为：一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成，外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成，次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。本专利技术中，外层、第一粘合层、阻隔层、第二粘合层、次内层和内层的厚度分别占密封膜总厚度的20%、10%、10%、10%、25%、25%。其中，按照质量百分比计，外层中的原料为：线性低密度聚乙烯70-75%、低密度聚乙烯25-30%，改性石墨烯的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯二者总质量的5-10%，外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的1-31%。优选的，外层中的外加剂由阻燃母料、增塑剂、氮化硼、硅藻土、疏水性二氧化硅中的一种或多种组合而成。按照质量百分比计，次内层中的原料为：线性低密度聚乙烯50-70%、低密度聚乙烯20-25%、茂金属聚乙烯10-25%，外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯和茂金属聚乙烯三者总质量的1-31%。优选的，次内层中的外加剂由抗静电母粒、阻燃母粒、氮化硼、增塑剂中的一种或多种组合而成。共挤膜中加入抗静电母料，即可以有效利用PVDC膜的高阻隔性，阻隔空气中的氧气、水汽对军工精密设备的氧化腐蚀，又能有效的使塑料包装产品中静电荷在产品上均匀分散，以避免由于静电荷集中造成尘埃吸附，从而改变线路间的阻隔，影响军工设备的功能和寿命。优选方式之一，按照质量百分比计，内层中的原料为：线性低密度聚乙烯50-55%、低密度聚乙烯22-25%、茂金属聚乙烯23-25%，外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯和茂金属聚乙烯三者总质量的2.5-32.5%。优选的，内层中的外加剂由抗静电母粒、阻燃母粒、氮化硼、开口爽滑助剂、氧化铝、增塑剂中的一种或多种组合而成。优选方式之二，按照质量百分比计，内层中的原料为：线性低密度聚乙烯45-50%、自粘母料50-55%，外加的增塑剂、防锈剂的质量分别占线性低密度聚乙烯、自粘母料总质量的1-1.5%、3-7.5%。优选的，本专利技术的次内层和内层中均添加有阻燃母粒，PVDC共挤膜本身就具有自熄性能，而加上阻燃母料后的PVDC共挤膜，不仅具有了PVDC共挤膜的高阻隔性，而且使其阻燃级别达到V0级，适用于军工防护服的使用。一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜的制备方法，包括以下步骤：（1）开机前3h对吹膜的模具和六个挤出机进行加热，当模具和挤出机温度都达到设定温度后，保温0.5-1.0h后开机；（2）将六个膜层的原料分别混均后，分别通过吸料机吸入对应的挤出机中，调整六个挤出机转速，当拉伸膜膜面达到质量要求时，操作人员进行厚度、宽度、电晕的测量并进行调整至设定要求。军工防护服是在无纺布防护服的表面上，附加了一层不透气膜，具有防水、不透气、隔菌的作用，现有防护服的覆膜一般为聚乙烯膜，而利用本专利技术的共挤膜应用在防护服上，无论其阻隔性，舒适性，还是耐磨性，强度都远远高于聚乙烯膜，且本专利技术生产的高阻隔共挤自粘膜通过了GB19082-2009和ASTMF1671阻菌性第三方测试。本专利技术的高阻隔共挤自粘膜可用于军工防护防尘，避免灰尘生成静电和弱磁场的可能性；其水蒸气透过量达到1g/cm³·24h左右，防潮效果极佳；由于军工使用环境的特殊性，对电子设备要求严格，尤其是在快速加压、减压的条件下，仍要保持良好的电路性能，而本专利技术共挤膜的耐压稳定性较强，能够满足军工需求。本专利技术在外层中增加了改性石墨烯，提高了高阻隔共挤自粘膜的电磁屏蔽效果；本专利技术的阻燃母料及抗静电母粒均为内添加而非外涂，使膜在加工过程中发生交联反应，大大提高其阻燃性能和抗静电性能，其表面阻抗可以达到106-1010Ω，阻燃级别达到V0级，使用寿命大于三个月。附图说明图1为本专利技术PVDC膜与现有技术的EVOH膜的对比。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行进一步阐述。实施例1一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成，外层包括70%线性低密度聚乙烯、30%低密度聚乙烯，改性石墨烯为线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的5%，增塑剂的质量为线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的1%，阻燃母料的质量为线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的30%。次内层包括70%线性低密度聚乙烯、20%低密度聚乙烯、10%茂金属聚乙烯，增塑剂质量为线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯总质量的1%，氮化硼质量为线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯总质量的15%。内层由50%线性低密度聚乙烯、50%自粘母料组成，增塑剂为线性低密度聚乙烯、自粘母料总质量的1%。第一粘合层和第二粘合层均为TIE。PVDC共挤膜本身就具有自熄性能，而加上阻燃母料后的PVDC共挤膜，不仅具有了PVDC共挤膜的高阻隔性，而且使其阻燃级别达到V0级，适用于军工防护使用。本专利技术中，取质量比为1：10的石墨烯和硝酸铁，将二者加入乙二醇中搅拌至形成稳定的悬浮液，再加入醋酸钠至均相后，加入聚乙二醇，形成混合液，倒入高压反应釜在150~200℃温度下反应6-10h，冷却后取出，依次用乙醇、蒸馏水多次洗涤反应物，抽滤后晾干，即得改性石墨烯。本申请中，首先由偏二氯乙烯单体80-90份、丙烯酸甲酯单体5-15份、增塑剂1-2份、热稳定剂3-4份、分散剂0.3份、螯合剂0.2份制备PVDC树脂，然后用得到的PVDC树脂对应制备PVDC层，并与PVDC共挤膜的其他膜层对应成型，PVDC树脂的具体制备过程、原理为公知技术，在此不再赘述。为了降低PVDC层加工中的热分解以及提高耐老化性，PVDC树脂的制备过程添加癸二酸二辛酯增塑剂和环氧树脂稳定剂，润滑剂采用硬脂酸酰胺，其中增塑剂、稳定剂、分散剂、螯合剂和其他助剂在加工所述PVDC树脂前加入，而润滑剂在共挤时混合到PVDC树脂中生成PVDC核心膜层。PV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成，外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成，次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：由依次设置的外层、第一粘合层、PVDC层、第二粘合层、次内层和内层组成，外层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、改性石墨烯和外加剂组成，次内层由线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、茂金属聚乙烯和外加剂组成。


2.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：外层、第一粘合层、阻隔层、第二粘合层、次内层和内层的厚度分别占密封膜总厚度的20%、10%、10%、10%、25%、25%。


3.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：按照质量百分比计，外层中的原料为：线性低密度聚乙烯70-75%、低密度聚乙烯25-30%，改性石墨烯的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯二者总质量的5-10%，外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯总质量的1-31%。


4.如权利要求1或3所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：外层中的外加剂由阻燃母料、增塑剂、氮化硼、硅藻土、疏水性二氧化硅中的一种或多种组合而成。


5.如权利要求1所述的一种用于军工防护的PVDC高阻隔共挤自粘膜，其特征在于：按照质量百分比计，次内层中的原料为：线性低密度聚乙烯50-70%、低密度聚乙烯20-25%、茂金属聚乙烯10-25%，外加剂的质量占线性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯和茂金属聚乙烯三者总质量的1-31%。


6.如权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宜民，
申请(专利权)人：洛阳晟鹏新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41