含氮化合物、电子元件和电子装置制造方法及图纸

技术编号:28548993 阅读:18 留言:0更新日期:2021-05-25 17:40
本申请属于有机材料技术领域,提供了一种含氮化合物、电子元件和电子装置,该含氮化合物的结构如化学式1所示,

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件和电子装置
本申请涉及有机材料
,尤其涉及一种含氮化合物、应用该含氮化合物的电子元件和应用该电子元件的电子装置。
技术介绍
有机电致发光器件又称为有机发光二极管,是指有机发光材料在电场作用下,受到电流的激发而发光的现象。它是一种将电能转换为光能的过程。相比于无机发光材料,有机电致发光二极管OLED具有主动发光、光程范围大、驱动电压低、亮度大、效率高、耗能少以及制作工艺简单等优点。正是由于这些优点,有机发光材料与器件已经成为科学界和产业界十分热门的科研课题之一。有机电致发光器件一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时,两电极产生电场,在电场的作用下,阴极侧的电子向电致发光层移动,阳极侧的空穴也向发光层移动,电子和空穴在电致发光层结合形成激子,激子处于激发态向外释放能量,进而使得电致发光层对外发光。现有技术中,CN111146349A、CN108101897A、CN110003091A、CN111279502A等公开了可以在有机电致发光器件中制备的空穴类材料用作电子阻挡层。然而,依然有必要继续研发新型的材料,以进一步提高电子元器件的性能。所述
技术介绍
部分申请的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置,以改善电子元件和电子装置的性能。为实现上述专利技术目的,本申请采用如下技术方案:根据本申请的第一个方面,提供一种含氮化合物,所述含氮化合物的结构如式1所示:其中,R1和R2选自分别独立地选自氢或式1-1-所示的基团,且所述R1和R2仅有一个为式1-1所示的基团;L选自单键、取代或未取代的亚苯基;所述L的取代基选自氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基;L1和L2分别独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;Ar1和Ar2选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为1-20的取代或未取代的烷基、碳原子数为3-20的取代或未取代的环烷基;L1、L2、Ar1和Ar2中的各取代基彼此相同或不同,各自独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷基硅基,碳原子数为18~24的三芳基硅基,碳原子数为1~10的烷基,碳原子数为1~10的卤代烷基,碳原子数为3~10的环烷基,碳原子数为2~10的杂环烷基,碳原子数为1~10的烷氧基,碳原子数为1~10的烷硫基,碳原子数为6~18的芳氧基,碳原子数为6~18的芳硫基,碳原子数为6~18的膦氧基。本申请提供了一种含氮化合物,将咔唑基与萘基的2位或3位连接,并与三芳胺结构结合形成核心结构。在该含氮化合物中,萘基具有稳定的平面结构,将其与咔唑基团连接,这种特定的连接方式使得化合物具有良好的热稳定性。三芳胺结构具有良好的空穴传输性,与咔唑连接的萘结合时,分子刚性增加,热稳定性显著提升,能够在长时间高温下保持结构稳定。本申请含氮化合物特定的基团和特定的连接方式,极大程度的提升了空间位阻,从而有效提高了化合物分子的T1值。本申请将该材料作为有机电致发光器件的电子阻挡层时,可以在保证空穴向发光层注入效率的同时阻挡激子的流出,降低器件的驱动电压,并提升器件的发光效率和寿命。本申请的第二方面提供一种电子元件,该电子元件包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;其中,所述功能层包含第一方面所述的含氮化合物。本申请的第三方面提供一种电子装置,该电子装置包括第二方面所述的电子元件。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式,本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。图2是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。图3是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。图4是本申请另一种实施方式的电子装置的结构示意图。图5是本申请含氮化合物34的分子结构模型图。图6是比较例化合物B的分子结构模型图。附图标记说明100、阳极;200、阴极;300、功能层;310、空穴注入层;321、空穴传输层;322、电子阻挡层;330、有机发光层;340、空穴阻挡层;350、电子传输层;360、电子注入层;370、光电转化层;400、第一电子装置;500、第二电子装置。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。本申请提供一种含氮化合物,所述含氮化合物的结构如式1所示:其中,R1和R2选自分别独立地选自氢或式1-1-所示的基团,且所述R1和R2仅有一个为式1-1所示的基团;L选自单键、取代或未取代的亚苯基;所述L的取代基选自氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基;L1和L2分别独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;Ar1和Ar2选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为1-20的取代或未取代的烷基、碳原子数为3-20的取代或未取代的环烷基;L1、L2、Ar1和Ar2中的各取代基彼此相同或不同,各自独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷基硅基,碳原子数为18~24的三芳基硅基,碳原子数为1~10的烷基,碳原子数为1~10的卤代烷基,碳原子数为3~10的环烷基,碳原子数为2~10的杂环烷基,碳原子数为1~10的烷氧基,碳原子数为1~10的烷硫基,碳原子数为6~18的芳氧基,碳原子数为6~18的芳硫基,碳原子数为6~18的膦氧基。在本申请中,术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以发生但不必发生,该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如,“任选地,两个相邻取代基××形成环;”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含氮化合物,其特征在于,所述含氮化合物的结构如式1所示:/n

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物,其特征在于,所述含氮化合物的结构如式1所示:



其中,R1和R2选自分别独立地选自氢或式1-1-所示的基团,且所述R1和R2仅有一个为式1-1所示的基团;
L选自单键、取代或未取代的亚苯基;
所述L的取代基选自氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基;
L1和L2分别独立地选自单键、碳原子数为6-30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的亚杂芳基;
Ar1和Ar2选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为1-20的取代或未取代的烷基、碳原子数为3-20的取代或未取代的环烷基;
L1、L2、Ar1和Ar2中的各取代基彼此相同或不同,各自独立地选自氘,卤素基团,氰基,碳原子数为3~20的杂芳基,碳原子数为6~20的芳基,碳原子数为3~12的三烷基硅基,碳原子数为18~24的三芳基硅基,碳原子数为1~10的烷基,碳原子数为1~10的卤代烷基,碳原子数为3~10的环烷基,碳原子数为2~10的杂环烷基,碳原子数为1~10的烷氧基,碳原子数为1~10的烷硫基,碳原子数为6~18的芳氧基,碳原子数为6~18的芳硫基,碳原子数为6~18的膦氧基。


2.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,L选自单键或亚苯基;
优选地,L选自亚苯基。


3.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,L1和L2分别独立地选自单键、碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-20的取代或未取代的亚杂芳基;
优选地,所述L1和L2中的取代基分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为6-12的芳基。


4.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基;
优选地,所述L1和L2中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。


5.根据权利要求1所述的含氮化合物,其特征在于,L1和L2分别独立...

【专利技术属性】
技术研发人员:马天天杨敏南朋
申请(专利权)人:陕西莱特光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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