一种竖直石墨烯基热界面材料及其制备方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种竖直石墨烯基热界面材料及其制备方法、装置，该方法包括在电场的作用下，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制得竖直石墨烯；其中，所述电场的方向与所述竖直石墨烯的生长方向相同。本发明专利技术一实施方式的方法，所采用的设备简单，工艺流程简单，可重复性强。

【技术实现步骤摘要】
一种竖直石墨烯基热界面材料及其制备方法、装置
本专利技术涉及石墨烯，具体为一种竖直石墨烯基热界面材料的制备方法及制备装置。
技术介绍
随着电子器件向着小型化、高功率密度的方向发展，如何有效地将集成电路中产生的热量传导出去，探索高效的散热技术已逐渐成为亟待解决的问题(A.A.Balandin,etal.Nat.Mater.2011,10,569)。其中，热界面材料作为集成电路中的散热部件，其热导率的高低直接决定了散热的效率。石墨烯的理论面内热导率高达5000W/m·K，被认为是制备热界面材料的理想材料之一(A.A.Balandin,etal.NanoLett.2008,8,902)。如何将石墨烯材料在微观尺度上优异的热学性质延伸到石墨烯宏观热界面材料的结构中，石墨烯材料的组装策略和制备方法显得尤为重要。制备石墨烯基热界面材料的传统方法主要有三种，一种是水平石墨烯薄膜直接用作热界面(C.P.Wong,etal.ACSNano2011,5,2392)；第二种是石墨烯粉体与高分子复合构筑成随机取向的网络结构(A.A.Balandin,etal.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种竖直石墨烯基热界面材料的制备方法，包括在电场的作用下，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制得竖直石墨烯；其中，所述电场的方向与所述竖直石墨烯的生长方向相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种竖直石墨烯基热界面材料的制备方法，包括在电场的作用下，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制得竖直石墨烯；其中，所述电场的方向与所述竖直石墨烯的生长方向相同。


2.根据权利要求1所述的方法，包括：
通过电场发生组件向反应体系中施加电场；
在所述反应体系中产生等离子体；以及
向所述反应体系中通入碳源，在基底上进行所述竖直石墨烯的生长。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电场发生组件包括第一电极板、第二电极板，所述第一电极板带负电，所述第二电极板带正电，所述第一电极板位于所述第二电极板的上方。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过等离子体源在所述反应体系中产生等离子体，所述等离子体源的功率为100～500W。


5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述碳源包括甲烷和/或甲醇；和/或，所述基底为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，许世臣，姬楠楠，陈卓，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11