一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。本发明专利技术提供的制备大尺寸清洁石墨烯的方法，无需特殊控制操作环境的，独创性地利用材料界面间的范德华力的差异，实现了大尺寸石墨烯表面无定形碳的剥离，将石墨烯表面处理至原子级的洁净，对于扩大石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法
本专利技术涉及石墨烯材料制备
，尤其涉及一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。
技术介绍
石墨烯是由碳原子构成的二维六边形结构，具有超高的电子迁移率和优良的导热性，可广泛应用于纳米电子器件、超高速计算机芯片、高效率能量储存、固态气敏传感器、场发射材料和微电子集成等多种领域。利用化学气相沉积法(CVD)在金属衬底生长石墨烯是目前商业化生产大尺寸高质量石墨烯材料的最优方法。但是，CVD金属衬底生长的石墨烯表面存在无定型碳的污染，影响石墨烯材料的电学性能。为了消除石墨烯材料表面无定型碳的影响，后续研发人员开发了制备大尺寸清洁石墨烯的方法，一种是在石墨烯生长过程中，在距离石墨烯表面很近的区域提供较大浓度的铜蒸汽，利用充足的铜蒸汽消除石墨烯生长过程中其表面的污染。但是，这种方法将会导致制备的石墨烯表面存在较多的铜原子掺杂。另外一种方法是：在石墨烯材料生长结束后，利用高温活性炭热滚刷方法，将吸附在石墨烯表面的无定形碳粘下来，但是，这种方法的操作工艺复杂，需要在200℃高温以及真空条件下进行操作。因此，研发一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤a，采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；/n步骤b，采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；/n步骤c，在所述金属层上形成光刻胶层；/n步骤d，将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。/n

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤a，采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；
步骤b，采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；
步骤c，在所述金属层上形成光刻胶层；
步骤d，将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。


2.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述金属衬底为Cu、Ni、CuNi或Au衬底。


3.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述金属层为Ti金属层、Al金属层或Pt金属层。


4.如权利要求1或3所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述金属层的厚度为30-300nm。


5.如权利要求1所述的大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法，其特征在于，步骤c中，光刻胶层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：高学栋，冯志红，蔚翠，何泽召，刘庆彬，郭建超，周闯杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13