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本发明提供了一种竖直石墨烯基热界面材料及其制备方法、装置，该方法包括在电场的作用下，通过等离子体增强化学气相沉积工艺制得竖直石墨烯；其中，所述电场的方向与所述竖直石墨烯的生长方向相同。本发明一实施方式的方法，所采用的设备简单，工艺流程简单，...
该专利属于北京石墨烯研究院;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京石墨烯研究院;北京大学授权不得商用。

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