有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置，更详细地，涉及如下的有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置：通过去除及阻隔水分、杂质等的不良原因物质来防止其接近有机电子装置，具有在不引起因去除水分而可能发生的层间剥离现象的同时耐湿性及耐热性优秀的效果，能够防止有机电子装置的像素不良。

【技术实现步骤摘要】
有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置
本专利技术涉及有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置，更详细地，涉及如下的有机电子装置用封装材料及包括其的有机电子装置：通过去除及阻隔水分、杂质等的不良原因物质来防止其接近有机电子装置，具有在不引起因去除水分而可能发生的层间剥离现象的同时耐湿性及耐热性优秀的效果，能够防止有机电子装置的像素不良。
技术介绍
有机发光二极管(OLED：OrganicLightEmittingDiode)为发光层由薄膜的有机化合物形成的发光二极管，利用电流通过荧光性有机化合物而发出光的电致发光现象。这样的有机发光二极管通常通过三色(红(Red)、绿(Green)、蓝(Blue))独立像素方式、生物转化方式(CCM)、颜色过滤方式等体现主要颜色，根据所使用发光材料包含的有机物质的量分为低分子有机发光二极管和高分子有机发光二极管。并且，根据驱动方式分为被动型驱动方式和主动型驱动方式。这样的有机发光二极管具有因自体发光的高效率、低电压驱动、简单驱动等特征，具有能够表达高画质的影像的优点。并且，有望应用于利用有机物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电子装置用封装材料，其特征在于，/n包括封装树脂层，上述封装树脂层通过包含封装树脂、增粘剂及吸湿剂来形成，/n上述封装树脂层包括：/n第一封装树脂层；以及/n第二封装树脂层，形成于上述第一封装树脂层的一面，/n上述第二封装树脂层还包含像素不良防止剂。/n

【技术特征摘要】
20191120 KR 10-2019-0149847;20191120 KR 10-2019-011.一种有机电子装置用封装材料，其特征在于，
包括封装树脂层，上述封装树脂层通过包含封装树脂、增粘剂及吸湿剂来形成，
上述封装树脂层包括：
第一封装树脂层；以及
第二封装树脂层，形成于上述第一封装树脂层的一面，
上述第二封装树脂层还包含像素不良防止剂。


2.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，
上述像素不良防止剂满足下述条件(1)及(2)，
(1)
(2)0.1μm≤D10≤0.4μm，0.3μm≤D50≤0.9μm，0.9μm≤D90≤2.5μm，
在上述条件(1)及(2)中，D10、D50以及D90分别表示对于在像素不良防止剂粒径的累积分布中与最大值的10％、50％、90％相对应的粒径。


3.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，
上述像素不良防止剂还满足下述条件(3)，
(3)2.0μm≤Dmax≤10.0μm，
在上述条件(3)中，Dmax表示像素不良防止剂的最大粒径。


4.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，
上述像素不良防止剂满足下述条件(4)及(5)，
(4)1.05≤A/B≤2.5，
(5)3.10g/cm3≤A，1.8g/cm3≤B，
在上述条件(4)及(5)中，A表示像素不良防止剂的振实密度，B表示像素不良防止剂的表观密度。


5.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，
上述像素不良防止剂还满足下述条件(6)及(7)，
(6)1.26m2/g≤C≤2.34m2/g，
(7)6.23≤D≤11.57，
在上述条件(6)中，C表示像素不良防止剂的比表面积，在上述条件(7)中，D表示像素不良防止剂的比重。


6.根据权利要求1所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，
上述像素不良防止剂满足下述条件(8)及(9)，
(8)
(9)0.0745Kcal/Kg·℃≤E≤0.1385Kcal/Kg·℃，1017℃≤F≤1889℃，53.9Kcal/℃≤G≤100.1Kcal/℃，
在上述条件(8)及(9)中，E表示像素不良防止剂的比热容，F表示像素不良防止剂的熔点，G表示像素不良防止剂的热导率。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，上述像素不良防止剂包含选自铬、铁、铂、锰、锌、铜、钴、锶、硅、镍、钡、铯、钾、镭、铷、铍、钇、钛、镧、钽、镁、硼及它们的合金中的一种以上。


8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子装置用封装材料，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊镐，金兑和，李相圭，吴范陈，郑玩熙，
申请(专利权)人：利诺士尖端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR