电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置，该电压产生电路能够追求省空间化、构成简易、并且产生高信赖性的电压。本发明专利技术的电压产生电路包含基准电压产生部、PTAT电压产生部、比较部以及选择部。基准电压产生部产生几乎没有温度依存性的基准电压。PTAT电压产生部产生具有正或负的温度依存性的温度依存电压，且温度依存电压在目标温度时具有与基准电压相等的电压。比较部比较基准电压以及温度依存电压。选择部基于比较部的比较结果，选择基准电压及温度依存电压的其中一个，并输出所选择的基准电压或温度依存电压。

【技术实现步骤摘要】
电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置
本专利技术是关于一种电压产生电路，特别是关于一种产生温度补偿后基准电压的电压产生电路。
技术介绍
诸如存储器或逻辑等半导体装置中，一般藉由产生对应于操作温度的温度补偿后电压，并利用温度补偿后电压让电路运作，以维持电路的信赖性。举例来说，存储器电路中，当读取数据时，若读取电流因温度变化而减低，将造成读取裕度(Margin)减低，且无法读取正确的数据。因此，通常会藉由使用温度补偿后电压来读取数据，以防止读取电流减低，或是让用来与读取电流比较的参照电流，同样与读取电流拥有温度依存性。举例来说，日本特开2016-173869号公报揭示了一种方法，将电压补偿后电流与温度补偿后电流，加上不会依存温度以及电源电压的基极(Base)电流，来产生参照电流。如上面记载，半导体装置搭载了温度补偿电路，产生具有温度依存性的电压，以对应温度变化。图1(A)示意既有的温度补偿电路的其中一例。此温度补偿电路具有：晶载(On-chip)的温度感测器10；逻辑部20，其接收温度感测器10的检测结果，并运算出温度补偿后电压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压产生电路，其特征在于，包含：/n基准电压产生部，被配置为产生实质上没有温度依存性的基准电压；/n温度依存电压产生部，被配置为具有正或负的温度依存性，产生在目标温度时具有与该基准电压相等的电压的至少一温度依存电压；/n比较部，被配置为比较该基准电压以及该温度依存电压；以及/n选择部，被配置为基于该比较部的比较结果，选择该基准电压及该温度依存电压的其中一个，并将所选择的该基准电压或该温度依存电压作为温度补偿基准电压而输出。/n

【技术特征摘要】
20191121 JP 2019-2100961.一种电压产生电路，其特征在于，包含：
基准电压产生部，被配置为产生实质上没有温度依存性的基准电压；
温度依存电压产生部，被配置为具有正或负的温度依存性，产生在目标温度时具有与该基准电压相等的电压的至少一温度依存电压；
比较部，被配置为比较该基准电压以及该温度依存电压；以及
选择部，被配置为基于该比较部的比较结果，选择该基准电压及该温度依存电压的其中一个，并将所选择的该基准电压或该温度依存电压作为温度补偿基准电压而输出。


2.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，
该选择部被配置为在低于该目标温度时选择该基准电压，在该目标温度以上时选择该温度依存电压。


3.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，
该选择部被配置为在低于该目标温度时选择该温度依存电压，在该目标温度以上时选择该基准电压。


4.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，
该选择部被配置为选择由该比较部所比较的该基准电压及该温度依存电压中的较大者。


5.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，
该选择部被配置为选择由该比较部所比较的该基准电压及该温度依存电压中的较小者。


6.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，
当该温度依存电压产生部输出具有相异温度特性的第1温度依存电压以及第2温度依存电压时，该第1温度依存电压在第1目标温度时具有与该基准电压相等的电压；
该第2温度依存电压在第2目标温度时具有与该基准电压相等的电压；
其中，该比较部包含：第1比较电路，被配置为比较该第1温度依存电压以及该基准电压；以及第2比较电路，被配置为比较该第2温度依存电压以及该基准电压；
其中，该选择部被配置为基于该第1比较电路以及该第2比较电路的比较结果，选择该第1温度依存电压、该第2温度依存电压、及该基准电压的其中一个。


7.如权利要求6所述的电压产生电路，其特征在于，
该选择部被配置为在低于该第1目标温度时选择该第1温度依存电压；在该第1目标温度至该第2目标温度之间时选择该基准电压；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上洋树，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71