量子点及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及一种量子点及其制备方法、应用；所述量子点包括内核和包覆于内核的壳层，内核的材料为CdZnSe，壳层的材料为CdZnS，其中，壳层中Cd元素与S元素的摩尔比为0.15:1～0.4:1。其制备方法包括：制备内核，将内核与第一锌前驱体、脂肪胺、溶剂混合形成第一前驱体溶液，再将第一镉前驱体和第一硫前驱体分别或共同匀速加入至第一前驱体溶液以形成第二前驱体溶液，第二前驱体溶液中Cd元素与S元素的摩尔比为0.15:1～0.4:1；将第二前驱体溶液在第一温度下进行反应，以在内核的表面包覆形成壳层，得到量子点。该量子点的能级结构更加匹配空穴和电子传输层，载流子注入势垒较低，应用于光电器件后，在5～20mA/cm

【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法、应用
本专利技术涉及量子点
，特别是涉及量子点及其制备方法、应用。
技术介绍
目前，CdZnS/ZnS、CdZnSeS/ZnS、ZnCdSe/ZnS等蓝光量子点的器件外量子效率(EQE)已经达到10％以上，最大亮度也超过10000cd/m2。但是，这类蓝光量子点的外层均包覆有较厚的ZnS壳层，导致蓝光量子点的HOMO较深，LUMO较高，不利于载流子的有效注入，使得这类蓝光量子点的光电器件的寿命一般不会超过1000小时，远远无法满足商业化的最低要求。另外，现有技术中提出了在ZnCdSe外包覆大约7nm厚的ZnSe壳层，可以有效提升蓝光量子点的HOMO，缩短其与空穴传输层TFB材料的能级差距，使得这类蓝光量子点的光电器件在100cd/m2的点亮条件下达到了7000h的水平，比包覆ZnS壳层的量子点的寿命有了显著提升。但是，这类蓝光量子点的光电器件要在10000cd/m2的点亮条件下，EQE才能达到最高值，而此时光电器件的工作电流为88mA/cm2。所以，这类蓝光量子点的光电器件在50cd/m2～200cd/m2的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点，包括内核和包覆于所述内核的壳层，其特征在于，所述内核的材料为CdZnSe，所述壳层的材料为CdZnS，其中，所述壳层中Cd元素与S元素的摩尔比为0.15:1～0.4:1。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点，包括内核和包覆于所述内核的壳层，其特征在于，所述内核的材料为CdZnSe，所述壳层的材料为CdZnS，其中，所述壳层中Cd元素与S元素的摩尔比为0.15:1～0.4:1。


2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述内核的平均粒径为3nm～10nm，所述壳层的厚度为3nm～10nm；优选地，所述内核的平均粒径为5nm～9nm，所述壳层的厚度为3nm～5nm。


3.根据权利要求1或2所述的量子点，其特征在于，所述量子点的荧光发射波长为460nm～480nm，优选为470nm～480nm。


4.一种如权利要求1～3任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：
制备内核；
将所述内核与第一锌前驱体、脂肪胺、溶剂混合形成第一前驱体溶液，再将第一镉前驱体和第一硫前驱体分别或共同匀速加入至所述第一前驱体溶液以形成第二前驱体溶液，所述第二前驱体溶液中Cd元素与S元素的摩尔比为0.15:1～0.4:1；
将所述第二前驱体溶液在第一温度下进行反应，以在所述内核的表面包覆形成壳层，得到量子点。


5.根据权利要求4所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述内核的制备过程包括：将第二锌前驱体、第一硒前驱体、第二镉前驱体、溶剂混合，并在第二温度下反应，得到含第一合金量子点的溶液，将所述第一合金量子点提纯作为所述内核。


6.根据权利要求5所述的量子点的制备方法，其特征在于，在第二温度下反应之后，所述内核的制备过程还包括加入第二硒前驱体，并在第三温度下反应，得到所述含第一合金量子点的溶液。


7.根据权利要求5或6所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述内核的制备过程还包括：
(1)将所述含第一合金量子点的溶液作为第一中间溶液；
(2)将所述第一中间溶液与碳链长度小于等于8的短链脂肪酸锌、碳链长度大于等于12的长链脂肪酸混合，并在第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡保忠，高远，毛雁宏，李光旭，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33