【技术实现步骤摘要】
一种核壳InP/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法
本专利技术属于纳米材料制备
，涉及量子点的制备方法，尤其涉及一种核壳InP/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。
技术介绍
InP量子点材料作为Ⅲ-Ⅴ半导体材料的代表，因为其低毒性和合适的发光范围，被视为下一代量子点明星材料，已经成为全球研究热点。单独的InP量子点由于表面的缺陷严重影响了其光学特性，导致量子产率低且不稳定。针对这一问题，目前通常会对InP量子点采用包覆宽禁带的半导体壳层的方式以增强其发光性能，而ZnS是最常见的一种包覆材料。但InP与ZnS的晶格失配度高达7.7％，使得在壳层的ZnS加厚时，界面张力不断增加，最终导致晶格错位混乱，光学性能反而降低。相比之下，ZnSe与InP的晶格失配度仅3.3％。因此，在InP核心和ZnS壳层中间引入ZnSe过渡层可以获得光学性质更佳的量子点材料。目前核壳InP/ZnSe/ZnS量子点的制备方法主要是高温热注入法，所用硒的前驱体大都是由三辛基膦(TOP)或三丁基膦(TBP)等含膦化合物将硒单质溶解，或者与硒单...
【技术保护点】
1.一种核壳InP/ZnSe/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n(1)混合硒粉与第一溶剂，至硒粉完全溶解或均匀分散，得到硒前驱体；/n(2)混合铟源、第一锌源、磷源与第二溶剂，制备得到第一体系；/n(3)混合第二锌源、第三溶剂与步骤(2)所得第一体系，得到第二体系；/n(4)混合硫源、步骤(1)所得硒前驱体与步骤(3)所得第二体系，反应得到核壳InP/ZnSe/ZnS量子点；/n其中，第一溶剂、第二溶剂与第三溶剂分别独立地为十八烯和/或油胺。/n
【技术特征摘要】
1.一种核壳InP/ZnSe/ZnS量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)混合硒粉与第一溶剂，至硒粉完全溶解或均匀分散，得到硒前驱体；
(2)混合铟源、第一锌源、磷源与第二溶剂，制备得到第一体系；
(3)混合第二锌源、第三溶剂与步骤(2)所得第一体系，得到第二体系；
(4)混合硫源、步骤(1)所得硒前驱体与步骤(3)所得第二体系，反应得到核壳InP/ZnSe/ZnS量子点；
其中，第一溶剂、第二溶剂与第三溶剂分别独立地为十八烯和/或油胺。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合的温度为10-30℃；
优选地，步骤(1)所述混合的方式为搅拌和/或超声；进一步优选为超声；
优选地，所述超声的频率为25-100KHz，超声的时间为1-10min；
优选地，步骤(1)所述硒粉与第一溶剂的固液比为1:(10-15)，单位为g/mL。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)混合硒粉与第一溶剂时，还混合有助剂；
优选地，所述助剂包括十二硫醇和/或辛硫醇；
优选地，所述助剂与第一溶剂的体积比为(0.8-1.2):(0.8-1.2)。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述混合在真空条件下进行；
优选地，所述真空条件的绝对真空度为0.02-0.08MPa；
优选地，步骤(2)所述混合为首先混合铟源、第一锌源与第二溶剂，升温后再混合磷源；
优选地，铟源、第一锌源与第二溶剂的混合温度为100-140℃，时间为40-80min；
优选地，升温至170-200℃后再混合磷源；
优选地，混合磷源的温度为170-200℃，时间为至少2min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述铟源包括碘化铟、溴化铟、氯化铟、氧化铟或醋酸铟中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(2)所述第一锌源包括氯化锌、溴化锌、碘化锌、硬脂酸锌或油酸锌中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(2)所述磷源包括三(二甲胺基)膦、三(二乙胺基)膦、三正辛基膦或三(三甲基硅烷基)膦中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(2)所述铟源、第一锌源、磷源与第二溶剂的摩尔比为(1.6-2.0):(4-5):(6.4-7.0):(37-37.5)。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述混合的温度为100-200℃，混合的时间为1-3h；
优选地，步骤(3)所述第二锌源包括氯化锌、溴化锌、碘化锌、硬脂酸锌或油酸锌中的任意一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志宽，李祥，徐冰，孙小卫，
申请(专利权)人：深圳扑浪创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。