核壳量子点及其制备方法、组合物及含其的电致发光器件技术

本发明专利技术提供了一种核壳量子点及其制备方法、及含其的电致发光器件。该制备方法通过先将CdSe核与第一VI族元素前体混合，之后通过匀速添加第一镉前体的方式来调控Cd

【技术实现步骤摘要】
核壳量子点及其制备方法、组合物及含其的电致发光器件
本专利技术涉及量子点发光材料领域，具体而言，涉及一种核壳量子点及其制备方法、组合物及含其的电致发光器件。
技术介绍
量子点(QuantumDot,QD)，即尺寸通常在1～100nm之间，且具有量子限域效应的半导体纳米晶体。由于其特殊的光学和光电性质，诸如极宽的吸收光谱，非常窄的发射光谱，很高的发光效率，通过调节量子点的尺寸来调节量子点的相应带隙，就能显著地调节其电学、光学特性等，相对于有机发光材料更好的无机材料的光物理稳定性。近年来，量子点作为一类无机发光-有机配体材料，与有机发光材料相比拥有的极窄的发射光谱和较好的无机材料稳定性等优点，因而基于量子点材料的量子点发光二极管(QLED)显示技术有更长的器件寿命和更好的发光色纯度，其在显示领域的应用前景受到广泛关注。在现有的文献报道中，对于绿色CdSe@ZnS合金量子点，有人通过提升壳层中ZnSe层的厚度，来降低电子在量子点中的传输速率，实现高寿命绿色量子点发光二极管(G-QLED)的开发，此量子点的器件结果在100cdm-2亮度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S1，将第一锌前体、第一VI族元素前体、第一配体与CdSe核在第一非配位溶剂中混合并加热，得到第一反应物体系；/n步骤S2，将第一镉前体匀速添加至所述第一反应物体系中，并在所述CdSe核上包覆镉掺杂的第一Cd

【技术特征摘要】
1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，将第一锌前体、第一VI族元素前体、第一配体与CdSe核在第一非配位溶剂中混合并加热，得到第一反应物体系；
步骤S2，将第一镉前体匀速添加至所述第一反应物体系中，并在所述CdSe核上包覆镉掺杂的第一Cdx-Zn1-x-VI壳层，提纯得到CdSe/Cdx-Zn1-x-VI量子点；
步骤S3，将第二锌前体、第二VI族元素前体、第二配体与所述CdSe/Cdx-Zn1-x-VI量子点在第二非配位溶剂中混合并加热，得到第二反应物体系，其中，所述第二VI族元素前体与所述第一VI族元素前体不同；
步骤S4，将第二镉前体匀速添加至所述第二反应物体系中，并在所述CdSe/Cdx-Zn1-x-VI量子点上包覆镉离子掺杂的第二Cdy-Zn1-y-VI壳层，提纯得到CdSe/Cdx-Zn1-x-VI/Cdy-Zn1-y-VI量子点，
其中，0＜X≤0.1，0＜Y≤0.1。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11，将所述第一锌前体、所述CdSe核、所述第一配体和所述第一非配位溶剂混合并加热，得到第一混合溶液；
步骤S12，在加热条件下将所述第一VI族元素前体加入到所述第一混合溶液中反应，得到所述第一反应物体系，
优选地，所述步骤S12中的反应时间为20s～5min。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤S31，将所述第二锌前体、所述第二配体、所述CdSe/Cdx-Zn1-x-VI量子点和所述第二非配位溶剂混合并加热，得到第二混合溶液；
步骤S32，在加热条件下将所述第二VI族元素前体加入到所述第二混合溶液中反应，得到所述第二反应物体系，
优选地，所述步骤S32的反应时间为20s～5min。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每对应一摩尔所述CdSe核，所述第一镉前体和/或所述第二镉前体的匀速添加速度为5×103～1×105mol/h，优选地，所述匀速添加为滴加，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶荣琴，陈小朋，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33