量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物技术

本发明专利技术提供了一种量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物。该制备方法包括：提供铟前体、磷前体和溶剂，加热反应得到含InP量子点核的溶液；将含InP量子点核的溶液、含Zn源的溶液、第一阴离子前体和长链羧酸进行反应，形成含表面改性的InP量子点核的溶液，第一阴离子前体中的第一阴离子包括Se，Zn源选自C原子数≤6的羧酸锌，长链羧酸的主链骨架碳原子数为10～22。通过上述方法能够在消除InP量子点核表面悬键的同时，在InP量子点核表面形成薄壳层包覆，从而可制得一类高稳定性、高量子产率的InP量子点。

【技术实现步骤摘要】
量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物
本专利技术涉及量子点合成领域，具体而言，涉及一种量子点核、核壳型量子点、其制备方法、量子点发光器件及量子点组合物。
技术介绍
传统的IIB-VI量子点如CdTe、CdSe等，虽然其技术发展己经比较成熟，但含有重金属元素Cd的缺点将会极大地限制其未来的应用。相较于合成工艺日趋成熟的IIB-VI量子点，如何得到高光学质量、高稳定性的InP核壳型量子点，使其能够满足显示、照明等领域的应用需求，一直是业内的研究难点与重点。现有文献指出InP表面悬键的存在以及InP界面氧化所产生的界面缺陷是导致InP量子点自身稳定性差，以及无法得到有效的壳层包覆的根本原因。现有文献报到了可以采用能与InP表面悬垂的In-P键结合的阴离子刻蚀InP核的方式，来消除InP表面的悬键，提高InP自身的发光效率。然而在实际操作中，我们发现，经过刻蚀后的InP核表面活性较未刻蚀的InP反而会更高，其表面将更容易被氧化而形成更多的界面缺陷，从而导致经由刻蚀后的InP也无法形成有效的壳层包覆。还有一些文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点核的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/nS1，提供铟前体、磷前体和溶剂，加热反应得到含InP量子点核的溶液；/nS2，将所述含InP量子点核的溶液、含Zn源的溶液、第一阴离子前体和长链羧酸进行反应，形成含表面改性的InP量子点核的溶液；/n其中所述第一阴离子前体中的第一阴离子包括Se，所述Zn源选自C原子数≤6的羧酸锌，所述长链羧酸的主链骨架碳原子数为10～22。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点核的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1，提供铟前体、磷前体和溶剂，加热反应得到含InP量子点核的溶液；
S2，将所述含InP量子点核的溶液、含Zn源的溶液、第一阴离子前体和长链羧酸进行反应，形成含表面改性的InP量子点核的溶液；
其中所述第一阴离子前体中的第一阴离子包括Se，所述Zn源选自C原子数≤6的羧酸锌，所述长链羧酸的主链骨架碳原子数为10～22。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
将所述第一阴离子前体与所述长链羧酸混合，得到混合液；
将所述含InP量子点核的溶液与所述含Zn源的溶液混合进行反应，得到中间产物体系；
将所述混合液与所述中间产物体系进行反应，反应的同时进行排气，得到含所述表面改性的InP量子点核的溶液。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述含Zn源的溶液包括所述Zn源和分散剂，所述Zn源中锌元素在所述分散剂中的浓度为0.5～5mmol/mL。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂包括非配位溶剂和以下物质中的一种或多种：三烷基胺、二烷基胺和三烷基膦。


5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的反应温度为250～320℃，所述第一阴离子前体与所述InP量子点核的物质的量之比为(100～500):1，所述Zn源、所述长链羧酸与所述InP量子点核的物质的量之比为：(1×103～1×104):(2×103～4×104):1。


6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在将所述混合液与所述中间产物体系进行反应过程包括：将所述混合液匀速添加至所述中间产物体系中，对应于1mmol的InP量子点核，所述第一阴离子前体的匀速添加速度为200～1000mmol/h，优选地，所述匀速添加为滴加，所述滴加的持续时间为20～60min。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小朋，苏叶华，
申请(专利权)人：浙江纳晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33