核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物技术

本发明专利技术提供了核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物。该制备方法包括：步骤S1，制备含有II‑VI族纳米团簇的第一溶液，并将提前准备好的量子点与第一溶液混合并加热，以使II‑VI族纳米团簇与量子点至少部分发生合金化，以在量子点外包覆第一II‑VI族壳层。由于量子点与纳米团簇融合过程一开始就直接合金化，从而能够在包覆II‑VI壳层初期就抑制激子扩散，使荧光峰位置直接发生荧光蓝移，进而不仅能够使得采用的量子点具有更小的尺寸，还能够得到蓝光发射的合金量子点；并且，上述制备方法先形成合金层，后形成壳层，能够制备得到荧光半峰宽窄的核壳量子点，荧光量子产率更高，合金层更厚，且光学稳定性优异。

【技术实现步骤摘要】
核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物
本专利技术涉及量子点发光材料领域，具体而言，涉及一种核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物。
技术介绍
相比于单一组分的核量子点来说，在核量子点表面包覆能带宽度更大的壳层材料形成的核壳结构量子点具有更高的光学与化学稳定性，典型的核壳结构量子点有CdSe/CdS，CdSe/ZnSe，CdSe/ZnS等。要在核量子点表面包覆壳层材料，需要考虑核材料与壳层材料之间的晶格不匹配度，晶格不匹配度越小，说明两种材料之间的结构差异越小，外延生长也就更容易。另外在外延生长的过程中，晶格不匹配会导致晶格应变以及在核壳界面或壳层中形成缺陷态，从而使得量子点荧光效率和稳定性降低。而且随着壳层材料厚度的增加，尺寸形貌单分散会变差。对于晶格不匹配度较大的核材料与壳层材料，现有技术中通常会在核与壳层之间包覆过渡合的金层，如CdZnSe、CdZnS、ZnSeS等。现有技术中CdSe/ZnSe量子点合成方法，往往是将CdSe量子点注入到锌前体溶液中，随后加入硒前体或者硫前体进行ZnSe壳层的包覆，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤S1，制备含有II-VI族纳米团簇的第一溶液，并将提前准备好的量子点与所述第一溶液混合并加热，以使所述II-VI族纳米团簇与所述量子点至少部分发生合金化，以在所述量子点外包覆第一II-VI族壳层。/n

【技术特征摘要】
1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，制备含有II-VI族纳米团簇的第一溶液，并将提前准备好的量子点与所述第一溶液混合并加热，以使所述II-VI族纳米团簇与所述量子点至少部分发生合金化，以在所述量子点外包覆第一II-VI族壳层。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备的所述第一溶液中II族元素与VI族元素的摩尔比大于1，且在所述步骤S1之后，得到第一反应体系，所述制备方法还包括：
步骤S2，将VI族元素前体与所述第一反应体系混合反应，以在所述第一II-VI族壳层外包覆上第二II-VI族壳层，所述II-VI族纳米团簇中VI元素为一种或多种，所述VI族元素前体中的VI族元素与所述II-VI族纳米团簇中的VI元素独立地选自Se和S中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇中II族元素与VI族元素的摩尔比为(5～60)：1。


4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇的尺寸小于1nm，优选所述量子点的尺寸大于2nm。


5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇与所述量子点的摩尔比以所述II-VI族纳米团簇不发生自成核为准。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述量子点为核结构或核壳结构，优选所述量子点为InP、CdSe、CdZnSe、CdSeS、CdZnSeS和CdSe/CdS中的任一种。


7.根据权利要求2至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，在280～310℃的条件下制备得到含有所述II-VI族纳米团簇的所述第一溶液；优选地，在所述步骤S1中，在280～310℃的条件下使所述II-VI族纳米团簇与所述量子点至少部分发生合金化，以得到所述第一反应体系；优选地，在所述步骤S2中，在280～310℃的条件下反应形成所述第二II-VI族壳层。

【专利技术属性】
技术研发人员：周健海，余世荣，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33