一种等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板组件；所述等离子体通道板组件包括：等离子体通道板；位于等离子体通道板侧部的定位件，所述定位件的弹性模量小于所述等离子体通道板的弹性模量；位于所述等离子体通道板上方的等离子体发生单元。所述等离子体处理装置能够避免等离子体通道板在高温条件下损伤。免等离子体通道板在高温条件下损伤。免等离子体通道板在高温条件下损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置


[0001]本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，等离子体反应常被用于半导体晶圆及其它基片的化学物理沉积、刻蚀以及光刻胶灰化去除等，常用的等离子体源包括ICP、CCP以及微波等产生方式。对于光刻胶灰化去除工艺，通常经过下述几个过程：1）将光刻胶旋涂到半导体衬底上；2）有针对性地将光刻胶层暴露在光线中进行显影，在半导体衬底的顶部形成特定的光刻胶图案，即部分待处理的半导体衬底暴露出来；3）刻蚀或者高剂量离子注入到半导体衬底的暴露部分；4）去除刻蚀或者高剂量离子注入过程中起到掩膜作用的光刻胶，即我们说的光刻胶灰化去除工艺。典型地，光刻胶灰化去除工艺包括两种类型：刻蚀过程结束后的光刻胶掩膜去除；高剂量离子注入过程结束后的光刻胶掩膜去除。对于光刻胶灰化去除工艺，通常不希望等离子体中的高能离子与光刻胶进行直接作用，而是期望通过等离子体中的化学活性自由基中间体与光刻胶之间产生高温化学反应。
[0003]一般地，光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板组件；所述等离子体通道板组件包括：等离子体通道板；位于等离子体通道板侧部的定位件，所述定位件的弹性模量小于所述等离子体通道板的弹性模量；位于所述等离子体通道板上方的等离子体发生单元。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述定位件的数量为若干个，所述定位件沿着所述等离子体通道板的周边均匀分布。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述定位件的材料为塑性材料。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述定位件与等离子体通道板为一体式结构。5.根据权利要求1或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述定位件为弹簧。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述弹簧的材料和所述等离子体通道板的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，张鹏兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：