用于等离子体处理腔室的导热间隔件制造技术

本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体处理腔室的导热间隔件


[0001]本公开内容的方面总体涉及用于基板处理的系统和设备。更具体地，本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。

技术介绍

[0002]可采用等离子体处理(诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD))来在基板上沉积薄膜以形成电子装置。随着技术进步，形成在基板上的装置几何形状和结构的复杂性不断增加。
[0003]另外，对电子装置的需求，诸如对更大的显示器和太阳能面板的需求，也不断增长，并且继而，用于制造这种装置的基板的尺寸也不断增长。因此，制造工艺(诸如大面积PECVD工艺)必须不断改善，以便满足获得均匀性和期望的膜特性的越来越困难的需求。
[0004]大面积PECVD处理所面临的一个挑战是等离子体处理腔室内的等离子体不均匀性。多种因素和要素(诸如热)都可能会导致等离子体处理腔室内的等离子体在接近基板的边缘的区域中弯曲。等离子体的这种弯曲导致基板的不均匀处理。
[0005]另一个挑战是与清洁速率相关联的低效率。较低的清洁速率导致要更长的时间来清洁工艺腔室的部件，从而影响产量、操作成本和效率。
[0006]因此，需要一种设备，所述设备促进改善在等离子体处理腔室中执行的沉积工艺的均匀性，并且促进改善等离子体处理腔室的清洁速率。

技术实现思路

[0007]本公开内容总体涉及一种用于等离子体处理的设备。更具体地，本公开内容涉及一种用于在处理期间在基板的表面上提供等离子体均匀性而同时促进低清洁速率的设备。
[0008]在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
[0009]在一个实施方式中，用于等离子体处理腔室的盖组件包括背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。
[0010]在一个实施方式中，用于等离子体处理腔室的背板设备包括具有顶表面和底表面的背板。实施背板设备还包括具有从所述背板的所述底表面突出的一个或多个突出部的导热间隔件。所述导热间隔件与所述背板一体形成以形成主体。
附图说明
[0011]为了能够理解本公开内容的上述特征的细节，可参照实施方式，得到对上文简洁
地概述的本公开内容的更详细的描述，实施方式的一部分示出在所附附图中。然而，需注意，所附附图仅示出示例性实施方式，并且因此不被认为对本公开内容的范围造成限制，因为本公开内容可允许其他等效实方式。
[0012]图1是示出根据一种实施方式的等离子体处理腔室的示意剖面图。
[0013]图2是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。
[0014]图3是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。
[0015]图4是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。
[0016]图5A是示出根据一种实施方式的盖组件的示意分解透视图。
[0017]图5B是示出根据一种实施方式的图5A所示的盖组件的透视剖面图。
[0018]图5C是示出根据一种实施方式的图5A所示的盖组件的示意横截面图。
[0019]为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记来标记图中共有的相同元件。设想的是，一个实施方式的要素和特征可有利地结合在其他实施方式中，而不再进一步阐述。
具体实施方式
[0020]本公开内容总体涉及一种用于处理基板的设备及方法。在一方面，提供了一种等离子体处理腔室，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件以在等离子体处理腔室内限定处理空间。盖组件包括背板、扩散器和导热间隔件，导热间隔件设置在背板与扩散器之间并耦接至背板和扩散器。基板支撑件也设置在处理空间内。导热间隔件用于将热从扩散器传递至背板。如此，导热间隔件与扩散器的顶表面直接接触，并且导热间隔件由导热材料形成或包括导热材料。导热间隔件具有矩形横截面，其中导热间隔件的宽度等于、大于或小于扩散器的厚度。等离子体处理腔室进一步包括耦接至盖组件的RF功率源，以及通过盖组件与处理空间流体连通的气体源和远程等离子体源。
[0021]本文所述的方面可与任何类型的沉积工艺一起使用，并且不限于用于基板等离子体处理腔室。本文所述的方面可与多种类型、形状和尺寸的掩模和基板一起使用。此外，基板不限于任何特定的尺寸或形状。在一方面，例如，术语“基板”是指用于平面显示器的制造中的任何多边形、正方形、矩形、弯曲、或其他圆形或非圆形工件，诸如玻璃或聚合物基板。
[0022]在以下描述中，除非另有说明，否则“气体(gas)”和“气体(gases)”可互换使用，并且是指一种或多种前驱物、反应物、催化剂、载体气体、净化气体、清洁气体、流出物、以上项的组合，以及任何其他流体。
[0023]以下参照被配置成处理大面积基板的PECVD系统来说明性地描述本文公开的方面，所述PECVD系统诸如可从加利福尼亚州圣克拉拉市(Santa Clara,California)的应用材料公司(Applied Materials,Inc.)的子公司AKT获得的PECVD系统。然而，应理解，实施方式可在其他系统配置中使用，所述其他系统配置诸如蚀刻系统、其他化学气相沉积系统，以及需要在处理腔室内分布气体的任何其他系统，包括被配置成处理圆形基板的那些系统。
[0024]图1是示出根据一种实施方式的等离子体处理腔室100的示意剖面图。等离子体处理腔室100可用于通过PECVD工艺执行用于封装层的沉积工艺。应注意，图1的腔室100仅是可用于在基板上形成电子装置的示例性设备。一种用于PECVD工艺的合适的腔室可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司获得。设想的是，可以使用其他沉积腔室(包括来
自其他制造商的沉积腔室)来实践实施方式。
[0025]等离子体处理腔室100通常包括壁部102和底部104，壁部102和底部104限定腔室100的主体105。主体105和盖组件130用于限定处理空间108。盖组件130包括背板106和气体分布板或扩散器110。扩散器110包括穿过扩散器110而形成的气体开口124，以将气体导入处理空间108中，且扩散器110也可以称为面板或喷头。由导热间隔件114，扩散器110在其周边处耦接至背板106上。以下将进一步讨论的导热间隔件114由导热材料所形成、或是包括导热材料，并且是用以将热从扩散器110传递至背板106。导热间隔件114还用以在背板106与扩散器110之间限定气室117。气室117在背板106与扩散器110之间限定间隙。
[0026]在可与其他实施方式结合的实施方式中，等离子体处理腔室100包括接合，诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理腔室，包括：腔室主体；盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间，所述盖组件包括：背板，所述背板耦接至所述腔室主体；扩散器，所述扩散器包括从中穿过而形成的多个气体开口；和导热间隔件，所述导热间隔件设置在所述背板与所述扩散器之间，以将热从所述扩散器传递至所述背板；和基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理空间内。2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述导热间隔件直接接触所述扩散器的顶表面，所述多个气体开口从所述顶表面延伸至所述扩散器的底表面，并且所述导热间隔件包括矩形横截面。3.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述导热间隔件包括多个内面，所述多个内面部分地包围所述多个气体开口。4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，进一步包括多个紧固件，所述多个紧固件至少部分地延伸通过所述导热间隔件，以将所述导热间隔件和所述背板耦接至所述扩散器，其中所述导热间隔件、所述背板、所述扩散器和所述多个紧固件各自包含铝。5.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述导热间隔件包括设置在所述扩散器的周边的相对侧上的一对长侧。6.如权利要求5所述的等离子体处理腔室，其中所述导热间隔件的所述一对长侧中的每个长侧包括一组一个或多个导热间隔条，所述一组一个或多个导热间隔条以一距离间隔开，其中每组一个或多个导热间隔条的纵向长度大于所述距离。7.如权利要求5所述的等离子体处理腔室，其中所述导热间隔件的所述一对长侧中的每个长侧包括两个或更多个导热间隔条和在所述两个或更多个导热间隔条之间的一个或多个间隙。8.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，进一步包括耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴范洙，R，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：