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一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法制造方法及图纸

技术编号:28501207 阅读:24 留言:0更新日期:2021-05-19 22:45
本发明专利技术涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法,生长装置包括:坩埚(6);晶体生长模具(7);籽晶杆(1);晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内;籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方,籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4),坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤:(1)原料的预处理;(2)装料;(3)熔晶;(4)引晶;(5)放肩;(6)等径生长阶段;(7)降温退火。与现有技术相比,本发明专利技术采用导模法进行晶体生长,具有长晶固液界面小、结晶速度快、晶体质量高、可定型定向生长等优点,成为超大尺寸晶体的主流生长方式之一。长方式之一。长方式之一。

【技术实现步骤摘要】
一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法


[0001]本专利技术涉及晶体材料制备领域,具体涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法。

技术介绍

[0002]超强超快是激光技术发展的主要方向之一,如何提高激光峰值功率、缩短激光的脉冲宽度一直是激光
的研究主题。目前实现超强超快激光输出的主要技术方法有:调Q技术、锁模技术、啁啾脉冲放大(CPA)技术、光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)技术以及准参量啁啾脉冲放大(QPCPA)技术,其中,OPCPA技术具有增益高、带宽大和光束质量好等优点,并且可以通过级联、合束等方式进一步提高激光峰值功率,是实现超高峰值功率、超短脉冲激光放大的主要途径。但是无论何种技术都受限于激光放大介质的损伤阈值。因此,提高激光放大介质的性能及其有效使用面积是进一步提高激光峰值功率的关键。
[0003]开发大口径非线性光学晶体是进一步提高OPCPA激光系统峰值功率的关键。三硼酸氧钙钇(YCa4O(BO3)3,简称:YCOB)晶体是一种新型的非线性光学晶体,具有有效非线性系数大、容限温度范围宽、热学性能好、能承受的热极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,该装置包括:坩埚(6),用于盛放晶体生长用的原料熔体(8);晶体生长模具(7),用于引导原料熔体(8)流向;籽晶杆(1),用于引导晶体生长;所述的晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内;所述的籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方,籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4),所述的坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。2.根据权利要求1所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,所述的晶体生长模具(7)的材质为铱金,由多片铱金板组合焊接而成,并用铱金条隔离,中间缝隙对应晶体生长的模具缝,顶端呈V形开口;所述的坩埚(6)和籽晶杆(1)均为铱金材质;所述的模具缝的缝宽为0.3

0.5mm,所述的开口的角度为100

150
°
。3.根据权利要求1所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,该装置还包括保温容器,用于避免晶体生长过程中散热;所述的坩埚(6)置于保温容器内。4.根据权利要求3所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,所述的保温容器与坩埚(6)之间堆设有进一步保温用的氧化锆球(10);所述的保温容器的材料均为氧化锆陶瓷。5.根据权利要求1所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,所述的坩埚(6)上设有坩埚盖(5)。6.根据权利要求1所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,所述的保温容器包括相互拼接的保温上盖板(2)、上保温罩(3)、侧保温筒(9、11)和底部保温砖(13),所述的保温上盖板(2)位于坩埚(6)上方,所述的侧保温筒(9、11)位于坩埚(6)侧方,所述的底部保温砖(13)位于坩埚(6)底部。7.根据权利要求1所述的一种YCOB晶体生长用生长装置,其特征在于,所述的籽晶(4)为YCOB单晶晶棒,生长方向为b向[010],侧面为YCOB解离面方向[

201],按此方向生长的YCOB晶体板大面方向为[

201]。8.一种采用如权利要求1

7任一项所述生长装置的YCOB晶体生长方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)原料的预处理,采用二次固相法合成YCOB原料;(2)装料:在干燥洁净的环境下,将Y...

【专利技术属性】
技术研发人员:王庆国吴锋徐军唐慧丽罗平薛艳艳
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:

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