半导体装置及制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置，其具备半导体基板和设置在半导体基板的上表面的上方的发射电极，半导体基板具有：第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在漂移区与半导体基板的上表面之间；第二导电型的接触区，其设置在基区与半导体基板的上表面之间，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；沟槽接触部，其连接于发射电极，并且以贯穿接触区的方式设置，且为导电材料；以及第二导电型的高浓度插塞区，其与沟槽接触部的底部接触地设置，并且掺杂浓度高于接触区的掺杂浓度。触区的掺杂浓度。触区的掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及制造方法。

技术介绍

[0002]以往，已知设置有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等晶体管的半导体装置(例如，参照专利文献1
‑
3)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
‑
147381号公报
[0006]专利文献2：日本特开2012
‑
156564号公报
[0007]专利文献3：日本特开2010
‑
147380号公报
[0008]技术问题
[0009]半导体装置优选损耗小。
[0010]为解决上述问题，在本专利技术的第一实施方式中提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体装置可以具备设置在半导体基板的上表面的上方的发射电极。半导体基板可以具有第一导电型的漂移区。半导体基板可以具有设置在漂移区与半导体基板的上表面之间的第二导电型的基区。半导体基板可以具有设置在基区与半导体基板的上表面之间并且掺杂浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板和设置在所述半导体基板的上表面的上方的发射电极，所述半导体基板具有：第一导电型的漂移区；第二导电型的基区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的上表面之间；第二导电型的接触区，其设置在所述基区与所述半导体基板的上表面之间，并且掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度；沟槽接触部，其连接于所述发射电极，以贯穿所述接触区的方式设置，且为导电材料；以及第二导电型的高浓度插塞区，其设置为与所述沟槽接触部的底部接触，并且掺杂浓度高于所述接触区的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的深度方向上，所述高浓度插塞区的厚度小于所述接触区的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述高浓度插塞区的下端配置在比所述基区的下端靠近上侧的位置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板还具有第一导电型的发射区，所述发射区设置在所述基区与所述半导体基板的上表面之间，并且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述接触区设置到比所述发射区更深的位置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有：多个沟槽部，其从所述半导体基板的上表面设置到所述漂移区；以及台面部，其被所述多个沟槽部之中的两个沟槽部所夹，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，所述晶体管部具有与所述二极管部接触的边界部，在所述边界部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田崇一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
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