紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法技术

本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法，属于发光二极管领域。所述制备方法包括：提供紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的外延层；在所述外延层上蒸镀P电极，所述P电极包括依次层叠在所述外延层上的Ni层和Mg层。本公开能够获得紫外光吸收低、高反射率和高导电性的P电极。反射率和高导电性的P电极。反射率和高导电性的P电极。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法


[0001]本公开涉及发光二极管领域，特别涉及一种紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法。

技术介绍

[0002]紫外LED(Light Emitting Diode，发光二极管)因其在杀菌消毒、紫外固化、生物探测、水净化等特殊领域的广阔前景而受到越来越多的关注和重视。但由于存在晶格缺陷对光的吸收，衬底和电极材料对光的吸收以及光在出射过程中反射、全内反射造成的损失等多方面的原因，导致紫外LED的光提取效率非常低。针对电极材料对光的吸收，相关技术提供的紫外LED芯片中，其P型电极 (P电极)材料都集中在Ni/Ag、Ni/Au、Ni/Al等材料上。
[0003]Ni/Ag和Ni/Au作为紫外LED的P型电极虽然有很好的导电性，但是在紫外光波段的反射率较低，对紫外光吸收严重，不利于光的提取；Ni/Al作为紫外发光二极管的p型电极虽然在紫外光波段具有较高的反射率，对紫外光吸收低，有利于光的提取，但是Ni/Al电极的导电性相对较差，且Al的粘附性不稳定，容易出现Ni/Al电极脱落的现象。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管芯片的P电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的外延层；在所述外延层上蒸镀P电极，所述P电极包括依次层叠在所述外延层上的Ni层和Mg层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上蒸镀P电极，包括：在所述外延层上蒸镀Ni层，对所述Ni层进行热退火处理；在所述Ni层上蒸镀Mg层，对所述Mg层进行热退火处理。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述Ni层进行热退火处理，包括：在氧气气氛中对所述Ni层进行热退火处理，所述Ni层的退火温度为450～550℃，退火时间为2～5分钟。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述Mg层进行热退火处理，包括：在氮气气氛中对所述Mg层进行热退火处理，所述Mg层的退火温度为400～500℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旺平，梅劲，刘春杨，张武斌，葛永晖，王烨，朱成，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：