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本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法，属于发光二极管领域。所述制备方法包括：提供紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的外延层；在所述外延层上蒸镀P电极，所述P电极包括依次层叠在所述外延...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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