【技术实现步骤摘要】
有机分子基反铁电体材料、制备方法及其应用
[0001]本专利技术属于功能材料领域，特别涉及有机分子基反铁电体材料、制备方法及其应用。
技术介绍
[0002]反铁电体是一类重要的功能材料，在储能电容器、换能器和电压调制元件等领域有着广泛的应用。组成这类材料的相邻晶胞在一定温度范围内呈现反向平行排列，宏观上的极化强度为零。反铁电性和反铁电材料的发现起源于上世纪五十年代，1951年，美国物理学家C.Kittle从唯象理论出发，提出了“反铁电性(antiferroelectric)”的基本概念—“与铁电相类似，反铁电晶体内晶格的离子发生位移型自发极化，但相邻子晶格中离子的自发极化方向却是相反的，因此宏观上反铁电晶体的自发极化强度为零”，并预言了反铁电体的存在及特性。同年Shirane、Sawaguchi和Takagi等人报道了锆酸铅(PbZrO3)的反铁电性。从此，反铁电材料进入了人们的研究视野，随着微观表征手段的不断发展和反铁电材料在电力、电子设备等方面展现出的极大潜力，人们对反铁电体开展了更为深入的研究。迄今为止，研究人员已发现...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机分子基反铁电体材料，其特征在于：所述的有机分子基反铁电体材料的化学式为C7H
16
NBr，分子结构图为：。2.根据权利要求1所述的有机分子基反铁电体材料，其特征在于：在室温下，所述的有机分子基反铁电体材料在室温时为正交晶系Pbca空间群，晶胞参数为a＝8.1818(2)，b＝7.9363(3)，Z＝8，Z＝8，3.根据权利要求1所述的有机分子基反铁电体材料，其特征在于：当温度升至354K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为铁电相，四方晶系P4mm空间群，晶胞参数为所述的有机分子基反铁电体材料转变为铁电相，四方晶系P4mm空间群，晶胞参数为4.根据权利要求1所述的有机分子基反铁电体材料，其特征在于：当温度升至高于364K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为顺电相，空间群转变为P4/nmm，晶胞参数为时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为顺电相，空间群转变为P4/nmm，晶胞参数为5.用于制备权利要求1
‑
4中任一项所述的有机分子基反铁电体材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在室温下，将环己甲胺按照化学计量比为1:1滴入到氢溴酸中，加热到6...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙志华，徐豪杰，韩世国，刘艺，罗军华，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。